火焰水解法制备掺锗二氧化硅膜的光致折变研究.pdfVIP

第五届全国光子学大会会议论文集 第三分册：集成光学 火焰水解法制备掺锗二氧化硅膜的光致折变研究 张乐天，侯勇，李爱武，郑伟，张玉书 吉林大学集成光电子学国家重点实验室，长春，130023 KrF 紫外激光下曝光后的结构和 摘要：本文研究了火焰水解法制备的掺锗二氧化硅膜在 -3 光学性质的变化。经过 10 分钟的照射后，在 1550nm 处的折射率变化大约为3.41× 10 。 采用原子力显微镜分析了曝光过程及膜的表面形貌，随着曝光时间的增长，膜的致密性 增加，表面粗糙度下降，折射率增大。 关键词：锗硅，火焰水解法，KrF 激光，折射率 0 引言 [1,2] 紫外写入法是光纤通信系统中的高级技术 ，由于其可以简化集成光学器件的制备工艺，避免 了光刻和反应离子刻蚀等繁琐步骤，因而近年来受到瞩目。紫外诱导折变现象最初是在经 250nW， [3] 488nm 的氩离子激光光束照射后的锗硅光纤中发现的 ，它是由光致缺陷在 240nm 附近的吸收带引 [4-6] 起的，使长波段的折射率发生改变，而折射率的改变量与吸收带的变化满足Kramers-Kronig 关系 。 [7] 为了实现较高的折射率变化量，Lemaire 等人 提出在紫外曝光前进行低温高压掺氢处理来增强光纤 [8] 的光敏性。Barbier 等人 报道认为，光致折射率的改变主要有两个因素，即氧不足的锗缺陷以及材 [9,11] 料结构的致密化 。许多科研小组研究过锗硅膜的紫外光致特性，但同时考虑结构和光学性质两方 面目前还未见报道。 本文研究了火焰水解法制备的掺 Ge 的 SiO 膜经过KrF 准分子激光照射后的性质，给出了曝光 2 时间不同的原子力显微镜照片，并利用椭圆偏振仪测量了材料的折射率，结果表明随着曝光时间的 增加，材料的折射率增加，表面更加平整。 1 实验 我们采用火焰水解法制备在 Si 衬底上制备了掺 Ge 的 SiO 膜，实验装置见参考文献[12]。源材 2 料 SiCl 和 GeCl 通过质量流量计由He 携带进入H /O 燃烧系统发生水解，生成 SiO 和 GeO 的混 4 4 2 2 2 2 合颗粒淀积在放于旋转石墨转台上的Si 衬底上，Si 衬底通过循环水冷却而保持一定的温度。将淀积 后的混合颗粒连同硅片放入高温电阻炉在空气中加热至 1150℃进行高温透明化处理，并恒温2 小时。 然后将样品在80atm，70℃下注氢7 天后，于248nm 的KrF 准分子激光光束下曝光。曝光过程在室 2 温下进行，激光器能量密度为 187mJ/cm ，频率为 10Hz。 曝光前，我们采用 Rigauk Dmax-rA 型 X-射线衍射仪(XRD)表征了样品的晶格结构；采用英国 ESCALAB 公司的MKⅡ型X 射线光电子能谱仪(XPS)分析了样品的成键组态。曝光后，利用Digital Nanoscope Ⅲa 原子力显微镜(AFM)对不同曝光时间的样品表面进行了扫描；利用M-2000UI