铁电薄膜退火方法地研究.pdfVIP

田雪雁等：铁电薄膜退火方法的研究 铁电薄膜退火方法的研究木 田雪雁，徐征 (北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室，北京100044) 摘 要： 以锆钛酸铅薄膜(PzT)为例，分析了国内在高温及较长持温时间的条件下进行退火处理， 由于 外铁电薄膜退火的各种方法．针对解决铁电薄膜基底高 需较高的退火温度才能使非晶相结构转换成钙钛矿结 温生长工艺与硅集成电路承受温度较低的不兼容及器 构，并且只有在适合的退火条件下，才可得到高品质且 件性质劣化的难题，分别对普通炉子退火、快速热退火 具有择优晶向的钙钛矿结构的PzT薄膜。当退火温度 及激光退火进行了详细的分析比较．激光低温退火技术 过低时(低于650℃)，易形成焦绿石相，若退火温度 有望成功地在未来应用PzT铁电薄膜制作组件时，增 加其制备工艺设计的弹性和可行性． 膜结构遭受破坏，将造成扩散现象而阻碍薄膜化组件的 关键词： 锆钛酸铅薄膜；普通退火；快速退火；激光 发展。 退火 具体上讲，普通炉子退火(CFA)的缺点表现为下 中图分类号：rIN304；TB43文献标识码：A 列几方面【8】： 文章编号： 1001．9731(2007)增刊．0807—02 1 引 言 铁电薄膜及器件是目前高新技术研究的前沿和热 上才能完全转变成钙钛矿相。 点之一，许多钙钛矿结构材料如PZTBST’BLT等都具(2)焦绿石相作为中间相更容易生成，因为焦绿 有铁电性，是一类重要的功能薄膜材料。尤其锆钛酸铅 石相相对于紧密的钙钛矿相更疏松，从非晶态相转变而 铁电薄膜【1．21由于具有良好的压电、热释电、电光及非 来更容易。另外一个原因是从完全的焦绿石相脱出氧化 线性光学等特性，广泛应用于铁电存储器、热释电红外 即 探测器及微电子机械系统等方面。譬如，乙历成分比 例为52，48的PZT薄膜，因为此时PzT薄膜具有最佳此，在转变结束后总存在焦绿石相。 的铁电特性，相对低的介电常数和相对大的热释电系 (3)能量给予得较慢，被非晶态分散后，能量在 数，已成为红外探测器中热释电材料的最佳选择。 结晶过程中没有得到充分的利用。 随着这类铁电薄膜器件(或原形器件)不断涌现出 所以在制备结晶度较好、择优晶向、‘铁电性较佳的 来，考虑到与半导体的工艺兼容问题，选择及优化退火 钙钛矿结构铁电薄膜时，若采用传统退火，苛刻的退火 技术尤为重要及关键。 条件将达不到解决PZT铁电薄膜材料高温生长工艺与 而目前国内外退火方法主要有普通炉子退火 硅集成电路承受温度较低不兼容的难题，阻碍薄膜组件 (CFA)、快速熟退火(R1隗)及激光退火(Laser 化的发展。 锄nealing)。本文以PzT为例，分别对不同的退火方案 2．2快速退火处理 进行了系统的分析，有助于解决铁电薄膜基底高温生长 工艺与半导体芯片集成电路承受温度较低的不兼容及 已被广泛应用于薄膜的再结晶处理方式。与普通炉子退 器件性质劣化的瓶颈问题。 火不一样的是，常常利用高的升温速率(约100℃，S)， 将产生活跃的晶格振动，340℃左右焦绿石相开始形成， 2 PzT铁电薄膜的制程 到415℃左右钙钛矿相就开始形成，仅需1s的时间就能 常见PZT铁电薄膜的制程口棚中，可分为两种方式： 完成从非晶态到钙钛矿相的转变。使得退火时间和温度 镀