红外单光子探测的门控技术研究.pdfVIP

第五届全国光子学大会会议论文集 第五分册：光电与光谱技术 红外单光子探测的门控技术研究 1 1 2 3 1 1 1 廖常俊 ，王金东 ，吕华 ，彭孝东 ，郭健平 ，李日豪 ，赵峰 ，魏正 1 3 2 4 1 军 ，周金运 ，冯金垣 ，刘伟平 ，刘颂豪 1，华南师范大学信息光电子科技学院，广州，510631 2 ，华南理工大学理学院应用物理系，广州，510641 3，广东工业大学应用物理系，广州，510090 4 ，暨南大学电子工程系，广州，510632 摘要：分析在通信波段实现单光子探测的门控技术，指出其技术参数的意义及确定 这些参数的实验方法。说明更快门脉冲前沿结合制冷技术，对减少单光子探测器误 码率的作用。 关键词：单光子，探测器，门控技术，红外技术，量子信息， 0 引言 光量子密钥分发对探测器提出了很高的要求。要达到很高的探测灵敏度和很低的暗计数，在光通 信的红外波段，可供选择使用的探测器已经很少了。到目前为止的最好选择是吸收和倍增分区的 [1] InGaAs/InP 雪崩光电二极管（Avalanche Photodiode or APD ） .。而且，这种APD 还必须工作于雪崩 击穿电压之上，开发其极限灵敏度。这就是通常说的工作于盖革模式。盖革模式要求APD 在雪崩击 穿后，自持的雪崩电流能迅速得到抑制，以保证APD 不会被损坏，而且要使APD 尽快恢复为等待状 态，准备第二次测量。门模技术是实现盖革模式的有效方法[2，3] 。门模技术可以有效地减小暗计数和 误码率。暗记数和误码率主要来自热噪声和APD 材料中缺陷俘获载流子的再释放，再释放的载流子 倍增形成后脉冲。对于红外探测器，使用低温也很难完全消除热噪声。要确定最佳的工作温度，对具 体的管型要进行具体的测量与分析[4] 。门控技术包括同步技术，超短脉冲技术。而且，门控电脉冲本 身也可能是误码的一个来源，这就要采用平衡探测技[5] 。为了实现有效的门控技术，需要对APD 的 工作性能进行深入的研究[6] -5[7] ，仔细地选择工作参数，暗计数已经可以降到10 。现在的门控脉冲技 术一般是这样叙述：在APD 上加上一个略底于雪崩击穿电压的偏压。在光子到达的同时，迭加一个 脉冲电压，使达到雪崩击穿。然后，由雪崩抑制电路降低APD 上的电压，终止雪崩。因此希望偏置 电压尽量接近雪崩击穿电压，以便可以用幅值较低的脉冲很快达到雪崩击穿。对于工作电压的选择不 是很明确的，例如“比雪崩电压略小的直流电压加到 [3] APD 上” 。具体做法是根据暗电流特性来考 虑。例如定义暗电流达到10nA 时的电压为雪崩击穿电压V ，而测量电压= V -2V 时的暗电流减 break break 小到它的百分之几，就可选为偏置电压。现在已经可以作到在雪崩电压97.5%的电压下，暗电流仅 30pA[7] 。 本文研究门模工作的必要条件，工作参数的物理意义，并用无源抑制技术通过测量电流/ 电压特 性，从测量曲线准确确定了门控技术的基本参数。说明门控脉冲前沿的同步和制冷技术相结合可有效 降低误码率。 1 门控脉冲波形分析 160 第五届全国光子学大会会议论文集 第五分册：光电与光谱技术 根据EGG 公司的C30645 型APD 厂方提供的数据，从门控过程的物理分析得出的