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2017-08-18 发布于浙江
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5-4 场效应晶体管主要内容 1. 场效应管的结构、符号与工作原理 2. 场效应管的工作状态和特性曲线 3. 场效应管的基本特性 4. 场效应管的电路模型退出场效应晶体管概述场效应管，简称FET (Field Effect Transistor ) ，主要特点： 7 15 (a) 输入电阻高，可达10 ~10 。 (b) 起导电作用的是多数（一种）载流子，又称为单极型晶体管。 (c) 体积小、重量轻、耗电省。 (d) 噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强和制造工艺简单。 (e) 在大规模集成电路制造中得到了广泛的应用。退出场效应管的类型场效应管按结构可分为：结型场效应管（JFET ）和绝缘栅型场效应管(MOSFET ) ；按工作原理可分为增强型和耗尽型。 N沟道 JFET （耗尽型）结型 P沟道 FET N沟道场效应管增强型 MOSFET P沟道 (IGFET) N沟道绝缘栅型耗尽型 P沟道退出场效应管的电路符号 MOSFET符号 N沟道 P沟道 UGS高电平导通 UGS低电平导通 D D 耗尽型 G G UGS=0时，有漏极电流， S S 需要加负的夹断电压UGS(off)才能关闭，高于夹断电压UGS(off)则导通 D D 增强型 G G UGS=0时，没有漏极电流， S S 而只在UGS0时，能导通，低于开启电压UGS(th)截止