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薄 膜 技 术 授课教师： 许向东 电子科技大学光电信息学院 二极 三极 溅射 偏压 射频 离子束 磁控 对向靶 溅射 第五章离子镀膜 (Ion Plating) ●本章内容： 1. 离子镀膜的原理及特点 2. 离子镀的类型 ●本章参考书： 1. 杨邦朝，王文生，薄膜物理与技术，电子科大出版社，1994 2. 唐伟忠，薄膜材料制备原理、技术及应用（第二版），冶金 工业出版社，2003 3. 郑伟涛，薄膜材料与薄膜技术，化学工业出版社，2008 蒸发沉积： “s-g-s” 中性原子 离子 如何提高：沉积速率、膜的致密性？ §5-1 原理 蒸发＋溅射相结 合，使蒸发粒子在等 离子体（利用辉光放 电产生）中运动，通 过动量及电荷交换成 为荷能粒子，在基板 表面沉积成薄膜。 原理： （1）蒸发：M0 (s) M0 (g) （2 ）等离子体：Ar Ar+ + e （3 ）离化：M0 + e M+ （4 ）能量、电荷交换：M0 + Ar+ M+ （5 ）加速、沉积：M+ + e M0 区别： + （1）与蒸发比：IP有M 、加速电场； + （2 ）与溅射比：IP有M 、加速电场、轰击对象不同； §5-2 荷能离子轰击的作用 在离子镀过程中，基板及所形成膜层始终受到 荷能粒子（几～上百eV ）的不断轰击 膜层形成：凡电力线所到之处均可成膜；适合在复杂 工件表面成膜，膜层附着性、致密性优于蒸发、溅 射，成膜材料范围广泛 1、在膜/基之间会形成明显的过渡层 原因： （1 ）高能离子的渗透（注入）50～100 Å /5000 eV时。 （2 ）高能入射离子的级联碰撞 部分基板原子向表面迁移 （3 ）被溅射出基板的原子部分反弹回基板表面与膜原子混合 （4 ）高能入射离子造成高缺陷密度，局部温度升高，使扩散速 率增加