SiC半导体材料和工艺的发展状况.pdfVIP

电子 产 品可 靠 性 与 环 境 试 验 综述与展望 Vol.25No.4Aug.,2007 ELECTRONICPRODUCTRELIABILITYANDENVIRONMENTALTESTING 年 月第 卷 第 期 2007 8 25 4 SiC半导体材料和工艺的发展状况 , 崔晓英1 2 信息产业部电子第五研究所 广东 广州 ( , ; 1. 510610 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室 广东 广州 , ) 2. 51610 摘 要 碳化硅 是一种宽禁带半导体材料 适用于制作高压 高功率和高温器件 并可以工作在直流 : ( ) , 、 , SiC 到微波频率范围 阐述了 材料的性质 详细介绍了 器件工艺 掺杂 刻蚀 氧化及金属半导体接触 的 。 SiC , SiC ( 、 、 ) 最新进展,并指出了存在的问题及发展趋势。 关键词 碳化硅器件 器件工艺 半导体材料 : ; ; 中图分类号: +4 文献标识码: 文章编号: ( ) TN304.2 A 1672-5468 2007 04-0058-05 DevelepmentofSiCanditsProcess , 1 2 CUIXiao-ying ( , , ; 1.CEPREIGuangzhou510610 China , 2.NationalKeyLabforReliabilityPhysicsanditsApplicationTechnologyofElectronicComponents , ) Guangzhou510610 China :SiCisakindofwide-bandsemiconductormaterialthatissuitableforproducinghigh Abstract , voltage highpowerandhightemperaturedevics.SiCdevicescouldoveratewithintherangefrom