一种新型汞离子选择薄膜传感器.pdfVIP

第 33卷 分析化学 ( FENX I HUAXU E) 　仪器装置与实验技术 第 3期 　　　　　　　　　 　　　　　　　　　 2005年 3月 Ch inese Jou rnal of A nalytical Chem istry 428～43 1 一种新型汞离子选择薄膜传感器 1 1 2 1 门　洪 　邹绍芳 　A ndrey L egin 　王 　平 1 (浙江大学生物医学工程与仪器科学学院生物传感器国家专业实验室 , 生物医学工程教育部重点实验室 , 杭州 3 10027) 2 (Chem istry D ep artm en t. St. Petersburg Un iversity, St. Petersburg, 199034 , Ru ssia) 摘 　要 　采用脉冲激光沉积技术 ,在光寻址电位传感器表面上沉积了对二价汞离子敏感的薄膜 ,制备了一种 新型汞离子选择薄膜传感器 ,靶材成分为 H gA gIS,基底为 p 型单晶硅片 ,金属接触层为 Cr/A u。该薄膜传 感器在 3星期内显示了良好的重复性和稳定性 ;检出限为 3 ×10 - 6 mol/L ;响应时间小于 2 m in, 适用 pH 范围 小于 2。对干扰离子和迟滞效应等也进行了研究 。该传感器具有测量快速灵活 、所需样品少 、动态范围宽等 特点 ,因为把电位信号转化为对光激发的交流电流信号进行测量 ,所以提高了灵敏度 。同时也证明了脉冲激 光沉积是适合制备薄膜传感器的一种新技术 。 关键词 　薄膜传感器 ,光寻址电位传感器 ,脉冲激光沉积 ,汞离子敏感 1　引　　言 汞是一种危害人体健康的重金属 ,世界各国都在花费大量的人力 、物力和财力在开发和研究新型的 检测汞方法 [ 1 ] 。传统和常规的原子吸收光谱和冷原子荧光光谱等检测方法一般都是大型仪器 ,成本比 较高 ,需要熟练的操作人员 ,不能或不方便在户外使用 。现场采样后进行离线分析 ,存在测量周期长 、分 析步骤复杂以及样品不易保存等缺点 。因此 ,急需研究出快速便捷的新型检测方法或仪器 。 ( ) 本实验在光寻址电位传感器 ligh taddre ssab le poten tiom etric sen sors, LA PS 上采用脉冲激光沉积 (p u lsed la ser depo sition , PLD )技术制备了一种新型汞离子选择薄膜传感器 , 同时对该薄膜传感器的特 性进行了研究 。 2　实验部分 2. 1　仪器和试剂 ( ) ( ) 273A 型恒流恒压源 美国 EGG公司 ; SR 830 锁相放大器 美国 SR 公司 ; PLD 为 KrF 激光源 。 ( ) H g I 上海化学试剂公司 ;其他所用化学试剂均为杭州华东化学试剂有限公司产品。 2. 2　LA PS 的制备 选用电阻率为 10 ～23 Ω ·cm 的 p 型 100 单晶硅片作为 LA PS的衬底 。硅片经抛光清洗后 ,放 入高温炉中进行热氧化 ,使硅片正面在干燥氧气中生长一层厚度约为 30 nm 的 SiO2 薄膜 。用离子刻蚀 法将硅片背面的氧化层去掉 ,然后用银浆做成一个环形的欧姆接触引出导线 。除了环形部位留下为了 光照外 ,其余部分均用环氧树脂密封 ,即制成 LA PS。采用磁控溅射在 LA PS表面先后镀 Cr /A