模拟电子技术及应用 教学配套课件 曹光跃 第1章 第2节.pdfVIP

第一章 半导体二极管 1.2 半导体二极管的特性及 1.2 半导体二极管的特性及 主要参数 主要参数 一、 二极管的结构与符号 二、 二极管的伏安特性 三、 二极管的主要参数 四、 二极管电路的分析方法 第一章 半导体二极管 一、 半导体二极管的结构 构成： PN 结 + 引线 + 管壳 = 二极管 符号： 分类： 硅二极管 VD 点接触型 按材料分 按结构分 面接触型 锗二极管 平面型 铝合金 正极引线 正极 负极 引线 引线 正极 N 型锗片 负极 小球 PN 结 引线 引线 N型锗 金锑 P 合金 N 外壳 触丝 负极引线 P 型支持衬底 底座 点接触型 面接触型 集成电路中平面型 第一章 半导体二极管 二、二极管的伏安特性 0 U U i = 0 i /mA th V V U BR IR 正向特性 Uth = 0.5 V (硅管) 0.1 V (锗管) 穿 击 向 反 u /V 反向特性 O Uth V U Uth iV 急剧上升 死区 电压 Uth = (0.6 0.8) V 硅管 0.7 V (0.1 0.3) V 锗管 0.2 V UBR U 0 iV = IR 0.1 A (硅)几十 A (锗) U UBR 反向电流急剧增大 (反向击穿)