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2017-08-18 发布于安徽
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一种控制硅深刻蚀损伤方法地研究.pdf

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一种控制硅深刻蚀损伤方法的研究阮勇1，叶双莉1，张大成2，任天令1，刘理天1 (1．清华大学微电子所微／纳器件与系统实验室，北京100084； 2．北京大学微电子研究院，北京100871) 摘要：提出了提高硅深反应离子刻蚀的新方法。该方法在硅的侧壁PECVD淀积SiQ，硅的底部 SiQ层可以抑制在硅一玻璃结构的刻蚀中出现的lag和footing效应，扫描电镜结果也证明，采用改进工艺后的硅结构在经过长时间的过刻蚀后仍然保持了完整性。硅陀螺测试结果也证明了改进工艺的正确性。 ’ 关键词：微电子机械系统；硅一玻璃阳极键合；硅深刻蚀；刻蚀损伤 fromthe onMethodstoProtectSiliconMicrostructures Study in ReactiveIon DamagesDeep Etching RUAN Da-chen92，REN Li-tianl Ybn91，YEShuang-lil，ZHANGTian-lin91，LIU 100084，Chin； TsinghuaUniversity，BeOing 2．Institute 100871，China) ofMicroelectronlcs。PekingUniversity，Beijing methodsfor the ofthesiliconreactiveion Abstract：New improvingquality deep etching(DRIE) were thataPECVDoxide was atthesilicon procedureinvestigated．Itsuggested layer deposited anda formedatthesiliconbackside．DuetothesilicontoSi02 sidewallthermaloxide was layer oxide could the microstructures selectivity(120：1～125：1)，theselayers protectsilicon etching fromthe causedthe and effects occurredinthebasicsilicon-on- damagesby lag footing usually thatthesiliconstructurecanendurea time SEMresultconfirms 10ng glass(SOG)process．The and themodified de— overetehthestructuresurfacecanremainintact by proce