在大气压下用冷等离子弧聚合SiOx薄膜的研究.pdfVIP

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2017-08-18 发布于安徽
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在大气压下用冷等离子弧聚合SiOx薄膜的研究.pdf

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第七届全国表面工．程学术会议在大气压下用冷等离子弧聚合SiOx薄膜研究周振．董良旭．陈强 (北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室，等离子体物理与材料研究室，北京102600) [摘要] 在大气压下，以六甲基二硅氧烷为单体，四氟化碳为辅助气体，用冷等离子弧制备SiOx薄膜。通过傅立叶外(聊R)定性分析，比较了冷等离子弧离样品高度、单体输入量、聚合时间等对聚合膜的影响。并与等离子体枪进行DBD放电聚合进行比较分析。 [关键词]冷等离子体弧；SiOx薄膜；大气压；聚合时间 [中图分类号】TGl74．442[文献标识码]A film arcat TheresearchofSiOx thecold depositedby plasma atmosphericpressure Zhen Xu Chen Zhou，LiangDong，Qiang ofPlasma and Instituteof (Lab Communication，Beijing102600，China) PhysicsMaterials，BeijingGraphic Abstract：At atmosphericpressure，withCF,鹅aSsistedgaS filmwerefabricatedthecold arc．The is toFourierTransform by plasma qualitativeanalysisaccording Theinfluenceofthefilmis withthealtitudefromthecold arctOthe flowrateofthemono- compared plasma sample．tIle ofthe andthe iscarried． time．At cold aI|c met，vporinglast，theanalysis plasma plasmagun cold time words：tIle Key plasmaarc，SiOxfilm，Atatmosphericpressure，vporing O前言具备在低气压条件下，如环境工程、化学工程和材料化学工业等方面，等离子体聚合反应很难进行或设备段所谓“低温”等离子体主要是为了区别与受控热核资大。因此在高气压或大气压进行等离子体聚合已经聚变产生的“高温”等离子体…，在那里等离子体的温成为等离子体化学聚合的主要研究方向，同时也成为度要达到10，000eV以上，相当于100，000，000℃。这气体电子学、气体放电学、单分子化学等前沿性学科研么高温度的物质，在通常条件下无法应用。在工业和究方向‘引。科学研究中用的低温等离子体通常其电子温度在几至 SiOx涂塑