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2、位错的攀移 只有刃位错才能发生攀移运动，螺型位错是不会攀移的。攀移的本质是刃型位错的半原子面向上或向下移动，于是位错线也就跟着向上或向下运动，因此攀移时位错线的运动方向正好与柏氏矢量垂直。 攀移是通过原子的扩散来实现的。攀移是位错线并不是同步向上或向下运 下页 上页 攀移是位错线并不是同步向上或向下运动，因此攀移时位错线的运动方向正好与柏氏矢量垂直。 攀移是通过原子的扩散来实现的。攀移是位错线并不是同步向上或向下运动，而是原子逐个的加入， 所以攀移时位错线上带有很多台阶称为割阶。 下页 上页 下页 上页 刃型位错的运动 一、滑移运动 （1）使刃位错线产生滑移运动的力是作用在滑移面上且平行于b的切应力，滑移面由位错线和b确定； （2）在上述切应力作用下，位错线在滑 滑移面上向着垂直于位错线的方向运动，位错线的方向于外切应力平行，但在同一切应力作用下，正负刃位错的运动方向相反； （3）刃位错运动的结果使位错线扫过区上下两半晶体产生一其值为b的相对位移，位移的方向完全取决于外切应力，位移方向与位错线方向平行，也与b方向平行，但不能单纯由位错线的运动方 下页 上页 方向或b的方向来确定晶体的相对运动方向。 二、攀移运动 刃型位错线在垂直于滑移面的方向上的运动称为攀移运动。 （1）攀移运动一定伴随着原子的扩散，从位错多余半原子面扩散出去的原子，可能成为间隙原子，或跃入空位，因此 下页 上页 可以说正攀移将使晶体中的空位浓度降低，负攀移则会使空位浓度增大。 （2）刃位错的攀移运动是比较难于进行的，只有在高温下，原子扩散能力很强，或空位浓度很大的情况下，攀移运动才是可能的。外加应力可以促进刃位错的攀移运动，压应力有利于正攀移，拉应力有利于负攀移。 下页 上页 滑移面上向着垂直于位错线的方向运动，位错线的方向于外切应力平行，但在同一切应力作用下，正负刃位错的运动方向相反； （3）刃位错运动的结果使位错线扫过区上下两半晶体产生一其值为b的相对位移，位移的方向完全取决于外切应力，位移方向与位错线方向平行，也与b方向平行，但不能单纯由位错线的运动方 下页 上页 （3）对攀移运动起作用的是正应力，而且是垂直作用在多余半原面上的正应力分量，或着说平行于b的正应力分量。 （4）刃位错的攀移运动同样会引起晶体的宏观变形，因为位错线正攀移所经过的区域中，少了一排原子，则整个晶体将缩短一个原子层（一个b），而负攀移使晶体中多出一排原子，则整个晶体将伸长一个b。 下页 上页 螺型位错线的运动 一、滑移运动 （1）引起螺位错滑移运动的力是平行于b的切应力，位错线的滑移面不能由位错线和b来确定，因位b和位错线是平行的。 （2）位错线的运动方向依然是在滑移面上垂直于位错线的方向。 下页 上页 * 概 述 晶体缺陷 点缺陷 线缺陷:位错 面缺陷 空位 间隙原子与杂质原子 刃型: 螺型: 混合型: 界面 表面 堆垛层错 晶界 亚晶界 孪晶界 相界 b t ^ b t t 返回 下页 ∧b 前边讨论的大都是理想的晶体结构，在理想的晶体结构中，所有的原子都处于规则的晶体学位置上，也就是平衡位置上。但人们很早就发现在实际晶体中，并不是那麽完整无缺的，原子的排列不可能绝对规则和完整，总是存在着偏离完整性的区域，对此称为晶体缺陷。根据晶体缺陷的几何形态特征，一般将它分为三类：点缺陷、线缺陷和面缺陷。 后退 下页 （1）点缺陷 它在三维空间各方向上尺寸都很小，亦称为零维缺陷，如空位间隙原子和异类原子等。 （2）线缺陷 亦称一维缺陷，在两个方向上尺寸很小，主要是位错。 （3）面缺陷 在空间一个方向上尺寸很小，另外两个方向上尺寸较大的缺陷，如晶界、相界等。 后退 下页 返回 第一节 点缺陷 一．点缺陷类型 ●空位，间隙原子：肖脱基空位及间隙原子、弗兰克缺陷（图） ●空位及间隙原子在热力学上是平衡浓度为： 下页 上页 二、点缺陷的产生 1、平衡点缺陷及其浓度 点缺陷的类型 其中Ce为某一种类型点缺陷的平衡浓度，N为晶体的原子总数，A为材料常数，T－热力学温度，k－玻尔兹蔓常数，u－该类型缺陷的形成能。 熵值的增加随缺陷数量的变化是非线性的，（如图4-3）所示少量点缺陷的存在使熵增快速增加，继续增加点缺陷使熵增变化逐渐变缓。ΔU和ΔS这两项相反作用的结果使自由能变化ΔA 下页 上页 的走向如图4-3的中间曲线所示，先随晶体中缺陷数目的增多，自由能逐渐降低，然后又逐渐增高，这样体系中在一定温度下存在着一个平衡的点缺陷浓度，在该浓度下体系的自由能最低。也就是说由热振动产生的点缺陷属于热力学平衡缺陷，晶体中存在这些缺陷使自由能是降低的；相反，如果没有这些却陷，自由能反而