激光光强度对多孔硅拉曼光谱的影响.pdfVIP

维普资讯 第 18卷 ，第 5期 光 谱 实 验 室 Vo1．18 ，NO．5 200 1年 9月 ChineseJournalofSpectroscopyLaboratory September，2001 激发光强度对多孔硅拉曼光谱的影响① 孟 耀 勇② 华南师范大学激光生命科学研究所 广州市石牌 510631 摘 要 报道了经鞍强激发光辐照后的多孔硅呈现出的独特拉曼光谱性质 。其一阶拉曼蜂随着激发光功率的 不同而变化 。当激发光功率增大时 ，其峰位逐渐红移 ，同时峰的宽度变大 。这种变化是可逆的。我们讨论 了产生设现象可能机制。 关 键 词 多孔硅 ，拉曼光谱 。激发光强度 。 中图分类号 ：0657．37 文献标识码 A 文章编号 ：1004—8138 2001 05—0689—03 1 前 言 目前 ，硅是半导体工业 中应用最广泛的一种材料 。由于它是间接能隙的半导体 ，不能用于发光 器件的制作 。1990年Canham 报道了利用 电化学腐蚀制备的多孔硅样品 Ps ，在室温下观测到了 明显的可见光发射 。这一发现打开硅在光电子领域应用的大门。引起了人们对 多孔硅的高度重视 。 拉曼光谱技术作为一种快速方便 的探测手段 已被广泛地用于多孔硅的研究。不同的研究小组所采 用 的激发光功率差别很大 ，从几百 w 到 100mW 的范 围内都有采用 。 。所有人都默认所获得 的 拉曼光谱 同激发光强度无关 。事实上，我们在对 多孔硅拉曼光谱的详细研究中，发现了一个新的现 象，多孔硅经较强的激发光 例如 75mW 辐照后 ，多孔硅的拉曼光谱不再是与激发光强度无关的物 理量 。它会随着激发光强度的增大而红移 ，拉曼峰的半宽也随着变大。这在多孔硅的拉曼光谱测试 分析中确定融发光强度具有重要意义 。 2 买验 部 分 Ps样品用常规方法制备。衬底采用 电阻率为 2．3—3．oncm、晶向为 100 的N型硅片 。用 40 氢氟酸水溶液同乙醇按 1 1配 比制成 电化学腐蚀溶液。使用的电流密度为 20mA／cm ，腐蚀时间 为 60min。最后制成的多孔硅表面均匀，在紫外灯下可见红光发射 。 仪器为法国 Jobin—Yvon公司生产的T64000三光栅拉曼光谱仪 ，分辨率为 2cm ，光谱准确度 为 ±lcm-。激发光源为美国相干公司制造的 750型氩离子激光器，输 出波长为 488nm。拉曼测试 采用背反构型，样品和光路调整好 ，用 75mw 的激发光照射样 品 30min后 ，不改变样 品和光路 ，只 该变融发光强度 ，进行多孔硅样品的拉曼光谱测试。 ① 广东自熬科学基金 974133 ，广东省重点科技项 目 2KM04502S 、广东高校自然科学科研项 目 20o0】8 蠹助谦目 @ 联 系人 。电话 020 座机电话号码iE-ma[1lmengyy~ 153 眦 ‘I㈣ gyy@钏 ．edu-cn 作者简介 ．孟耀勇 1964一 。男，四川省成都市^ 。博士，副研究 员，主要研究拉曼光谱在生命科学 中的应用 ． 收稿 日期 t2001—06—05 维普资讯 光谱实验室 第 18卷 3 结果与讨论 图 1给 出了在不 同光功率激发下 多孔硅 的一阶拉曼光谱，图 中从 a到 各 曲线分别对应 12．5mW 、25roW 、37．5mW 、50mW 和 62．5roW 激发光功率 。可见随着激发光功率 的增强，多孔硅 的 特征峰峰位发生了红移 。同时峰的半宽也逐渐变大。并且这种现象是可逆的 。我们知道多孔硅 的一 阶拉曼光谱特征峰对应于硅的一阶声子模 。在单晶硅 中，由于动量 口必须守恒 ，所 以只有布里渊中 心 口 o 的光学声于是拉 曼话性的，这使得单 晶硅 的一阶拉曼光谱是线宽为 3．5cm 、位于 522cm 的一个独峰 。当硅晶体 的尺寸缩小到纳米量级 ，光学声子将 明显受到空间尺寸 的限制 ，这 时准动量守恒不再严格成立，允许q≠o的跃迁发生 。结果导致一阶拉曼光谱红移和不对称展宽。晶 粒的尺寸越小 ，拉曼峰的红移就越大 ，谱线就越 宽。因此 ，可 以根据谱线的展宽和红移来决定晶粒尺 寸 的大小 。 图 l中拉曼光谱 的变化说 明在不 同的激发光功率下，披测 的多孔硅 中的晶粒尺 寸是不同 的。弱激 光辐 照 晶粒 的尺寸较 大 ，而在强激光下晶粒的尺寸较 小 ，这说明不同尺寸的晶粒在不 同的激光功率下受到 了选择性 激发，也就是说 ，对拉曼光谱有 贡献的晶粒在不同的激发光强 度下是不同的 。考虑到激光器输 出的高斯光束的光腰会 因为激 被数V；cm。 光器的输出功率不同而不同，导 ， 在不 同激发光功率下