电子技术基础--第1章-半导体器件-3-2.pdfVIP

1章 半导体器件 1章 半导体器件 1.1 半导体基础知识 1.2 PN结及其单向导电性 1.3 二极管 结构、工作原理、特性曲线 结构、工作原理、特性曲线 1.4 稳压管 和主要参数 和主要参数 1.5 双极型晶体管 PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用版本创建 1.5 双极型晶体管 PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用版本创建 1.5.1 晶体管的常见外形 3 A 3 1 X D 8 1 G X 4 A 3 3AD 10 a b c d （a）、（b ）为小功率管；（c）为中功率管；（d ）为大功率管。 PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用版本创建 1.5.2 晶体管的结构及类型 集电极 集电极 P N P 晶体管的结构示意图和符号 两种类型（PNP、NPN ）；两个PN结（集电结、发射结）； 两种类型（PNP、NPN ）；两个PN结（集电结、发射结）； 三个区（集电区、基区、发射区）；三个电极（e、b、c） 三个区（集电区、基区、发射区）；三个电极（e、b、c） PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用版本创建 PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用版本创建 －PNP型和NPN型晶体管结构不同，但工作原理相同； －注意使用时，两种晶体管的电源极性相反； －晶体管电路符号中的箭头表示晶体管工作时发射极电流 的实际方向； －晶体管结构的两个工艺特点使晶体管产生了电流控制和 大作用。 1）中间基区很薄，且掺入杂质浓度最低 2 ）发射区和集电区半导体类型相同，但发射区中杂质浓度 远远大于集电区的杂质浓度。 PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用版本创建 1.5.3 晶体管的三种连接方式 e I I c E C e c b IC b IE IB e IB c I I B E I b C a 共基极 b 共发射极 c 共集电极 PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用版本创建 1.5.4 晶体管的电流控制作用 －发射极为输入输出的公共 1. 基本共射 大电路 端的 大电路，称为基本共 射 大电路。 ＋ －ui是要 大的输入信号 RB T RC －uo是 大以后的输出信号 ＋ ui uo － －VBB是基极电源，使晶体管 VCC V BB 的发射结处在正向偏置状态 － － －Vcc是集电极电源，使晶体 管的集电结处在反向偏置状 态 －Rc是集电极电阻 PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用版本创建 2. 基本共射 大电路晶体管内部载流子的运动情况 I C 三个过程： c I ICN （1 ）发射区向基区发射电 CBO 发射 R N C 子的过程。 b I P BN （2 ）电子在基区中的扩散 I 15V 扩散 B R UCC 与复合。 B 复合 N I I EP EN e （3 ）集电结收集电子的过 U 收集 BB I E 程。 PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用版本创建 PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用版本创建 1）发射区向基区注入电子 I C 由于e结正偏，因而结两侧多子的 c ICBO ICN 扩散占优势，这时发射区电子源源 R N C 不断地越过e结注入到基区，形成 b 电子注入电流IEN 。与此同时，基 I P BN I 15V 区空穴也向发射区注入，形成空穴 B R U B N CC 注入电流IEP 。因为发射区相对基区 I I EP EN 是重掺杂，基区空穴浓度远低于发 U e BB I E 射区的电子浓度，所以满足 IEP IEN ，可忽略不计。因此， 发射极电流IE ≈IEN ，其方向与电子 注入方向相反。 PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用版本创建 2 ）电子在基区中边扩散边复合 注入基区（P型半导体）的电子，成为基区中 I 的非平衡少子，它在e结处浓度最大，而在c结 C c 处浓度最小 因c结反偏，电子浓度近似为零 。 ICBO ICN R 因此，在基区中形成了非平衡电子的浓度差。 N C 在该浓度差作用下，注入基区的电子将继 向 b I P BN c结扩散。在扩散过程中，非平衡电子会与基 I 15V B R U B N CC 区中的空穴相遇，使部分电子因复合而失去。 I I EP EN 但由于基区很薄且空穴浓度又低，所以被复合 U e BB I E 的电子数极少，而绝大部分电子都能扩散到c 结边沿。基区中与电子复合的空穴由基极电源 提供，形成基区复合电流IBN ，它是基极电流 IB 的主要部分。 PDF 文件使用 pdfFactory Pro 试用