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* 第二编 敏感器件 第五章 光敏器件 §5.1 基本情况 一、基础知识 光电效应：受光激发 → 能带跃迁 → 光电导效应、光伏特效应。 本征半导体情况 PN结情况 半导体的光电效应示意图 * 完全纯净的半导体称为本征半导体或I型半导体。硅和锗都是四价元素，其原子核最外层有四个价电子。它们都是由同一种原子构成的“单晶体”，属于本征半导体。在热力学温度零度和没有外界能量激发时，价电子受共价键的束缚，晶体中不存在自由运动的电子，半导体是不能导电的。但是，当半导体的温度升高或受到光照等外界因素的影响，某些价电子获得了足够的能量，足以挣脱共价键的束缚，跃迁到导带，成为自由电子，同时在共价键中留下相同数量的空穴。空穴是半导体中特有的一种粒子带正电，与电子的电荷量相同。把热激发产生的这种跃迁过程称为本征激发。显然，本征激发所产生的自由电子和空穴数目是相同的。 第六章 热敏电阻 §6.1 基本情况 一、原理特性 原理：振动碰撞或能带跃迁 → 阻值变化 分类：正温度系数(T↑→R↑)，负温度系数(T↑→R↓)。 能带跃迁 热敏电阻的温度特性、电路符号及伏安特性 二、参数及工作点选择 主要参数：标称阻值R25，温度系数α，耗散系数H（即温差1℃所耗散的功率），时间常数τ（即C/H，热容量C即电阻变化1℃所吸放的热量），额定功率PE（即长期连续负荷所允许的耗散功率）等。 工作点：选择恰当与否，直接影响测控效果。通常分为三个区域，各有相应的应用场合。 工作点选择 （T0↑→R↓→Um↓） §6.2 应用举例 应根据使用目的和要求的不同，选择合适的热敏电阻类型、电参数及工作区域等。 一、温度测量 简单电路 桥式电路 两种测温电路（器件相同，精度迥异） 因为Uab = E﹒RT/(R1+RT)- E﹒R3/(R2+R3)，电桥平衡时：Uab=0 电桥失衡时：△Uab = E﹒△RT/(R1+RT+△RT)≈△RT﹒E/(R1+RT) 热敏电阻温度计 二、温度控制 自动温控（T→RT→U→J） 过热保护（T→RT→BT→J） 实际自动温度控制电路一例 三、温度补偿 串联补偿 串并联补偿 四、其他应用 可用于测定湿度、气压、流量、风速等，还可用于恒温加热、自动开关等。 测流量 测液位 * 热电偶简介： 原理：热电效应 → 电动势 （包括接触电势和温差电势。*均由电子浓度不同扩散所致。） ∵ 接触电势eAB(T)=kT/q·ln(nA/nB)，温差电势（很小） ∴ EAB(T,T0) = [eAB(T)- eAB(T0)] + [eB(T,T0)- eA(T,T0)] ≈ eAB(T)- eAB(T0) 热电偶测温优点：精度高、范围广(－250～+1800℃)、简单方便等。 应用举例： 热电效应 测量一点的温度 测量两点的温度差 ▲习题三 1、简述图5-12电路和图5-14电路的工作原理。 2、简述图6-7(b)电路和图6-9电路的工作原理。  第七章 压敏电阻 （VDR：Voltage?Dependent?Resistor） ）Lorentz force）作用，导致电荷偏转累积，形成霍尔电势。 UH = K·I B cosθ * 实践证明：霍尔器件的长宽比越大，霍尔电压越接近理论值。但比值过大，电阻增加，故长宽比一般不超过2。 温度补偿 零位补偿（或不等位电势补偿） 主要参数：输入内阻RI，输出内阻RV，灵敏度KH，不等位电阻r0，最大控制电流Imax，霍尔电势温度系数α，内阻温度系数β等。 二、应用举例 基本电路（测磁） 读磁（磁读头） 乘法器 测电流 测位移 集成霍尔器件应用 （导磁体中磁阻较小） （小磁针N方向为磁力线方向） §8.2 其他磁敏器件 一、磁敏电阻 磁阻效应：磁场增强，半导体的电阻增大。磁阻效应与所加磁场的频率、半导体材料的种类和几何形状等均有关系。 磁敏电阻应用非常广泛，如：电流计、磁通计、功率计、放大计等。 磁敏电阻特性及符号 位移测