薄膜气敏材料的性能和研制薄膜气敏元件的工艺探索.pdfVIP

第十五届中国湿度与水分学术交流会论文集 ·83· 薄膜气敏材料的性能和研制薄 膜气敏元件的工艺探索 姜维宾1，崔艳华1，郝福平1，褚文珊1，裘南畹2 (1．济南半导体所，山东济南250014；2．山东大学物理学院，山东济南250011) 摘 要：给出了薄膜气敏材料性能的测试结果：存在最佳灵敏度膜厚l+(1+一1500 A)；动态特性；膜越薄 了研制薄膜的粉末溅射；给出了研制电导气敏薄膜元件的工艺流程，并对各工艺进行了必要的说明。 关键词：金属氧化物；薄膜；电导气敏 中图分类号：TN304 文献标识码：B 0 引言 酒敏薄膜、粉末溅射SnO：／CeO：酒敏薄膜、粉末溅射 SnO：／Pt CO气敏薄膜、粉末溅射Fe：O，酒敏薄膜H1等 20多年来，我们试图用光刻与溅射相结合的薄膜 电导气敏金属氧化物薄膜进行过静态特性、动态特性、 元件技术取代目前国内外流行的手工涂料、瓷管上烧 掺杂特性的大量测试，得到了许多有价值的结果[3。]。 Gas Sensor)技术。 结的TGS元件¨1(Tagushi 1)存在最佳灵敏度膜厚Z+：f’一1500A。 TGS元件的优点在于采用AI：O，材料的瓷管，有利 2)动态特性：膜厚越薄，响应越快。 于与气敏层(SnO：)结合；加热丝(Pt)从管内穿过， 3)掺杂特性：①膜厚掺杂比与粉末掺杂比成正 结构简单；两端电极(Pt丝)埋在气敏层中，热配合 比；②对于酒敏元件SnO：／算％CeO：，掺杂量x有一个 好；手工涂料制作方便。 最佳范围：5—15。 然而这类元件存在不少缺点：一方面，由于是手 2芯片结构和工艺流程 工涂料，决定了其生产效率低、产量低；另一方面， 气敏层烧结在瓷管上，因而基本上只有一种基材料 2．1芯片结构 目前，平面薄膜气敏传感器就电极与加热器的相 SnO：，限制了对各种性能(例如：低温，低浓)元件 对位置来说，有两类结构方案H。1；一类是横向方案， 的开发‘2|。 上世纪80年代末，西欧首次试图将晶体管工艺中 两者在同一平面上，另一类是纵向方案，两者用绝缘 层(一般为SiO：)隔开。我们采用了横向方案，芯片 的si微电子技术移植到薄膜气敏元件研制中∽j。但由 的具体结构见参考文献HJ。其中，si片厚0．4mm，芯 于晶体管的si微电子技术与薄膜元件技术不同。所以 X1 mm mmX1 片尺寸为0．4 nl