薄膜晶体管液晶显示器技术简介.docVIP

薄膜晶体管液晶显示器技术简介　　 ?? 15英吋的TFT-LCD 薄膜晶体管液晶显示器英文名是Thin Film Transistor-Liquid Crystal isplay,TFT-LCD是英文字头的缩写。 薄膜晶体管液晶显示器技术是一种微电子技术与液晶显示器技术巧妙结合的技术。 把单晶上进行微电子精细加工的技术，移植到在大面积玻璃上进行薄膜晶体管（TFT）阵列的加工，再将该阵列基板与另一片带彩色滤色膜的基板，利用与业已成熟的液晶显示器（LCD）技术，形成一个液晶盒，再经过后工序如偏光片贴覆等过程，最后形成液晶显示器件。 　　　TFT-LCD（薄膜晶体管液晶显示器, Thin film transistor liquid crystal display）是多数液晶显示器的一种，它使用薄膜晶体管技术改善影象品质。虽然TFT-LCD被统称为LCD，不过它是种主动式矩阵LCD。它被应用在电视、平面显示器及投影机上。 简单说，TFT-LCD皮肤可视为两片玻璃基板中间夹着一层液晶，上层的玻璃基板是与彩色滤光片（Color Filter）、而下层的玻璃则有晶体管镶嵌于上。当电流通过晶体管产生电场变化，造成液晶分子偏转，藉以改变光线的偏极性，再利用偏光片决定像素（Pixel）的明暗状态。此外，上层玻璃因与彩色滤光片贴合，形成每个像素（Pixel）各包含红蓝绿三颜色，这些发出红蓝绿色彩的像素便构成了皮肤上的图像画面。TFT-LCD结构。薄膜晶体管液晶显示器由显示屏、背光源及驱动电路三大核心部件组成。TFT-LCD显示屏，包括阵列玻璃基板、彩色滤光膜以及液晶材料。阵列玻璃基板制备工艺是：用三个光刻掩膜板，首先在玻璃基板上连续淀积ITO膜（厚20～50n m）和Cr膜（厚50～100nm），并光刻图形，然后连续淀积绝缘栅膜SiN：（厚约400n m），再本征a-Si（厚50～100n m）和n＋a-Si层，并光刻图形（干法）淀积Al膜，光刻漏源电极，最后以漏源电极作掩膜，自对准刻蚀象素电极上的Cr膜和TFT源漏之间n＋a-Si膜。这就是TFT反交错结构的简单制造工艺。下一步是：在玻璃基板上涂布聚酰亚胺取向层，用绒布沿一定方向摩擦，使取向层表面形成方向一致的微细沟道，控制液晶分子定向排列。在保证两块玻璃基板上下取向槽沟的槽方向正交的条件下，将两块玻璃基板上下密封成一个盒，盒间隙一般只有几个微米（如10μm），然后抽真空封灌液晶材料。　　彩色滤光膜（Color　Filter）简称CF。TFT-LCD的彩色显示，实际是通过阵列基板的光，照射在彩膜上，显示屏就能显示颜色。彩色滤光膜（如同着色的玻璃纸）可以制作在透明的电极之上（透明电极和液晶层之间），也可制作在透明电极之下（透明电极和玻璃之间），上下玻璃基板与CF膜对准精度非常高，要求CF膜黑白矩阵正好对准ITO象素电极的边缘，CF膜附着在液晶盒表面，然后用两片无色偏振片夹住液晶盒。彩色显示原理可以简述为：把TFT-LCD的一个象素点分割成红、绿、蓝（R、G、B）三基色，并对应CF膜的RGB，起光阀作用的LCD对透过CF膜的三色光量，进行平衡、调节得到所要的彩色。穿过CF膜的入射光如果漏射，则会影响TFT-LCD的对比度，所以在间隙处要设置遮光的黑矩阵（Black　Matrix）简称BM。为了稳定性和平滑性，使用丙烯基树脂和环氧树脂制成厚0.5～2μm的保护层（oe cota）简称OC。然后在这个保护层上面形成共用电极，即透明电极膜。BM层通常是由金属铬（Cr）制作，为了降低表面反射，也有用氧化铬（CrOx）或树脂。金属铬厚度约为1000～1500埃，用树脂、染料或颜料，作为着色层来着色。每个象素点的着色图形，因TFT-LCD的用途而不同。如可按条形、玛赛克形、三角形等排列。CF膜的特性用透过率、色纯度、对比度以及低反射化表示，所以对CF膜的要求是：高透过率和色纯度；高对比度和平整性以及极低的扩散反射。MCS） 溅射是指在反应室中，被电离的正离子在暗区电场的加速下撞击阴极靶，使靶材溅射而 淀积在基板上形成薄膜。磁控溅射（MCS）则是指在阴极靶背后加装磁场，使二次电子在 洛仑兹力的作用下被束缚在靶表面。延长二次电子运动轨迹，使产生更多的正离子来轰击靶， 同时消耗了电子能量，具有淀积速率高和温度低两大优点。 MCS 在TFT-LCD 生产中，用于淀积栅电极，源/漏电极和铟锡氧化物（ITO）像素电极。 也用于彩色滤光片（CF）中的淀积，如黑色矩阵和ITO 共用电极的淀积。淀积的材料则用 Ta, Cr, MoTa, MoW, MoAlNd 等。对淀积工艺的要求是：电阻率低，厚度均匀，光滑，和底 层粘附好，台阶覆盖好，应力小，沾污少，不形成小丘，电迁移率小，不起弧等。 目前TFT-LCD 生产使用