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第25卷 第 11期 应 用 化 学 Vo1．25No．11 2008年 11月 CHINESEJOURNALOFAPPLIEDCHEMISTRY NOV．2008 纳米 SiC的合成及其作为载体在 CO氧化反应中的应用 肖益鸿 郑 勇。 蔡国辉。 郑 瑛 魏可镁 (。福州大学化肥催化剂国家工程研究中心 福州 350002；福建师范大学化学与材料学院 福州) 摘 要 采用蔗糖为碳源 、正硅酸乙酯 (TEOS)为硅源，以硝酸镍为催化剂，用溶胶．凝胶法制备碳化硅前驱 体 ，在 1000℃的动态真空条件下．将前驱体进行碳热还原，合成出比表面积为 104m ／g的SiC纳米小球 (粒 径为4O～60nm)。用其作为催化剂载体，通过浸渍法制备Pt／SiC催化剂，将其应用于CO氧化的模型反应中。 研究结果表明，Pt／SiC催化剂具有较好的催化活性 ，引入铁助剂的Pt．Fe／SiC催化剂能明显地提高CO催化氧 化反应的活性。催化剂Pt．Fe／SiC-2的CO最低完全转化温度为 195oC，与Pt／SiC催化剂相比降低了45℃。 关键词 纳米SiC，真空．载体 ，CO氧化，铂，铁助剂 中图分类号：O612．4 文献标识码 ：A 文章编号：1000-0518(2oo8)11-1311-04 SiC是一种具有类似金刚石四面体结构单元的共价化合物，它具有很好的机械性能、热稳定性及导 热性l1．2]。因此，SiC是一种可以被应用在许多重要领域的优 良的功能材料_3]。目前，SiC作为催化剂载 体已被应用于一些重要的化学反应中[4]。但是这些反应的效果并不是很理想，其中重要的原因是所用 的SiC载体的比表面积较低；另一个原因可能是由于SiC的表面呈惰性，活性组分在其表面的分散度不 高，因而其在催化领域中的应用有其局限性l6]。若能提高SiC载体的比表面积以及活性组分在SiC表 面的分散度，可望提高催化剂的活性。因此，制备高比表面积的SiC及提高活性组分在其表面上的分散 的研究具有重要意义。已有许多合成 SiC的方法，如纳米粒子法，针状单晶和纳米丝法 。Ledoux 等 9发展了形状记忆合成法来合成高比表面积的SiC，其用活性碳或焦炭与气态SiO在1200—1500oC 条件下合成多孔状SiC。文献l1叫以酚醛树脂为碳源，正硅酸乙酯 (TEOs)为硅源，以镍盐为造孔剂用溶 胶．凝胶法合成出前驱体，在 l200～1500oC条件下进行还原得到的SiC比表面积在47—112in／g之 问 本文在前期工作 】『¨的基础上，采用溶胶一凝胶法合成碳化硅前驱体，在 l000℃的动态真空条件下， 将前驱体进行碳热还原。快速合成出比表面积为 104m／g的SiC纳米小球，降低了SiC合成的反应温 度，且合成的SiC具有高的比表面积，将其为载体、Pt为活性金属组分，制备Pt／SiC催化剂，以CO氧化 为模型反应。考察催化剂的活性。同时，研究了助剂铁的加入对其催化剂活性的影响。 1 实验部分 1．1 试剂和仪器 蔗糖，草酸，乙醇，硝酸镍，硝酸铁，TEOS，氯铂酸，以上试剂均为分析纯。Gc-l4型气相色谱仪(日 本岛津)：Bruker．D8Advance型x射线衍射仪 (德国)，CuKa为辐射源，Ni滤波，管电流40mA，管电压 40kv．A：0．15406tim。扫描步长0．02o，每步取样时间0．2s；NOVA4200e型物理吸附仪(美国)，样品 经250℃真空脱气处理5h后 ，在液氮温度下进行N：吸附．脱附测试，用BET法计算样品的比表面积， BJH法分析脱附支计算样品的孔径分布；JSM-6700F型场扫描电子显微镜(日本电子株式会社)；高温真 空炉(上海忠晟炉业有限公司)；SpectrAA-220型原子吸收分光光度计(美国Varian公司)。 1．2 siC的制备 以蔗糖为碳源。TEOS为硅源。草酸、硝酸镍为催化剂，水和乙醇为溶剂合成碳化硅前驱体。在50℃。 磁力搅拌下将25g蔗糖，0．45g硝酸镍和0．35g草酸溶于30mL无水乙醇和20mL蒸馏水的混合溶液 后。滴加50mL99％TEOS，继续在此温度下搅拌使溶液慢慢变成凝胶，得到的凝胶在 120oC烘干24h， 20o8 1-21收稿．2008-04-24修回 国家自然科学基金