光电技术与实验-2.pdfVIP

第2章 光电探测器 光 光电探测器是利用光电效应探测光信息(光能)，并将其转变成电信息 电 (电能)的器件。 技 本章重点讨论光电技术中常用的光电探测器原理和特性，为设计光电 应用系统及实际工作中正确选择和使用光电探测器奠定必要的基础。 术 与 2-1 光电探测器原理及特性 实 光辐射探测器按器件的机理不同，一般分为热电和光电探测器两大类。 验 热电探测器包括：热敏电阻、热电偶和热电堆、热释电探测器等。它们 的原理是基于光辐射引起探测器温度上升，从而使与温度有关的电物理量发 生变化，反映的是入射光的能量或功率和输出电量的函数关系（略）。 光电探测器为一系列工作于紫外光、可见光、红外光波段的各种器件， 是光电技术中用得最多的探测器。 1 第2章 光电探测器 光 一、光电探测器的种类 电 光电探测器把光能直接转换成电信息，它的工作原理是基于光电效应， 技 即光电子发射效应、光电导效应、光生伏特效应及光磁电效应等。 术 按工作效应的不同，常用的光电探测器件归类为： 与 (1)光电子发射器件：光电管和光电倍增管，属外光电效应型。 (2)光电导器件：包括单、多晶型、合金型光敏电阻等，属内光电效应型。 实 (3)光生伏特器件：雪崩光电管、光电池、光电二极管和光电三极管等，属 内光电效应型。 验 光电探测器也可分为单元器件、阵列器件或成像器件等。单元器件只 是把投射在其光接受面元上的平均光能量变成电信号，而阵列器件或成像 器件则可测出物面上的光强分布。成像器件一般放在光学系统的像面上， 能获得物面上的图像信号。 2 1 第2章 光电探测器 光 二、光电探测器原理 电 光电探测器利用材料的光电效应制成。在光辐射作用下，电子逸出材料表 技 面，产生光电子发射称为外光电效应，或称光电子发射效应；电子并不逸出 材料表面的为内光电效应。如光电导效应、光生伏特效应及光磁电效应均属 术 于内光电效应。 与 1.光电子发射效应 实 根据光的量子理论，频率为υ的光照到固体表面时，进入固体的光能 验 总是以整个光子的能量h υ起作用。固体中的电子吸收了能量hυ后将增加 动能。其中向表面运动的电子，如果吸收的光能能够满足途中由于与晶格 或其他电子碰撞而损失的能量外，尚有一定能量足以克服固体表面的势垒 (或叫逸出功)。那么这些电子就可以穿出材料表面。这些逸出表面的电 子又称光电子。这种现象叫光电子发射或外光电效应。 3 第2章 光电探测器 光 2．光电导效应 电 若光照射到某些半导体材料上时，透过到材料内部的光子能量足够 技 大，某些电子吸收光子的能量，从原来的束缚态变成导电的自由态，这时 在外电场的作用下，流过半导体的电流会增大，即半导体的电导增大，这 术 种现象叫光电导效应。它是一种内光电效应。 与 光电导效应可分为本征型和杂质型两类，如图2-1所示。本征型是 指能量足够大的光子使电子离开价带跃入导带，价带中由于电子离开而 实 产生空穴，在外电场作用下，电子和空八参与导电，使电导增加。杂质 验 型光电导效应则是能量足够大的光子使施主能级中的电子或受主能级中 的空穴跃迁到导带或价带，从而使电导增加。