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光电检测技术与运用复习提纲 光电检测系统的基本结构形式分为：几何光学变换的光电检测方法和物理光学变换的光电检测方法； 几何光学变换的机构形式：辐射式、反射式、遮挡式、透射式； 物理光学变换的光电检测的基本结构：干涉式与衍射式。 可见光的范围：380～780nm； 物体发光有两种基本形式：特辐射及“发光”辐射； “发光”辐射与热辐射不同，它主要借助其他一些外来激发过程而获得能量，产生辐射发射。这种发光形式包括：电致发光、光致发光、化学发光、热发光； 辐射效率：在给定λ 1～λ2波长范围内，某一辐射发出的辐射通量与产生这些辐射通量所需的电功率 之比，称为该辐射源在规定光谱范围内的辐射效率； 在给定λ1～λ2 波长范围内，某一辐射体（光源）所发射的光通量与产生这些光通量所需 的电功率之比，就是该光源的发射效率； 相关色温：对于一般光源，它的颜色与任何温度下黑体辐射的颜色都不相同，这时的光源用相关色温表示，在均匀色度中，如果光源的色坐标点与一温度下黑体辐射的色坐标接近，则该黑体的温度称为光源的相关色温； 光源的颜色包含两方面的含义，即色表和显色性。 用眼睛直接观察光源时所看到的颜色称为光源的色表 当光源照射物体时，物体呈现的颜色（也就是物体反射光在人眼内产生的颜色感觉）与该物 体在完全辐射体照射下所呈现的颜色的一致性，称为该光源的显色性； 交流粉末电致发光光源的工作原是：由于电极间距很小，只有几十微米， 所以在市电电压的作用下，就可以得到足够高的电场强度如E=104V/cm以上。粉末中自由电子在强电场作用下加速而获得很高的能量，它们撞击发光中心，使其受激而处于激发态，当激发态复原来为基态时产生复合发光。由于荧光粉末与电极间有高介电常数的绝缘层，自由电子并不导走，而是被束缚在阳极附近，在交流电的负半周时电极变换，自由电子在高电场作用下向新阳极的方向加速。使之不断发光。 LED发光机理：光电二极管是由P型和N型半导体组成的二极管，在PN结附近N型材料中的多数载流子是电子，P型材料中的多数载流子为空穴，由于电子浓度不同，载流子扩散运动加强。这样，在PN结型上，P区由于空穴向N区扩散运动而带负电荷，N区电子向P区方向的电场，此电场为内建电场，当给发光二极管的 P-N 结加正向电压时, 外加电场将削弱内建电场，使空间电荷区变窄， 载流子的扩散运动加强。由于电子迁移率总是远大于空穴的迁移率，因此电子由 N 区扩散 到 P 区是载流子扩散运动的主体。当导带中的电子与价带中的空穴复合时，电子由高能级 跃迁到低能级，电子将多余的能量以发射光子的形式释放出来，产生电致发光现象。。 关于禁带宽度Eg与极限波长λ的相关计算（注意能量单位的换算P24）; LED与LD的比较： LED LD 发光机理 LED 是利用注入有源区的载流子自 发辐射复合发光 LD 是受激辐射复合发光 结构上 LD 有光学谐振腔，使产生的光子在 腔内振荡放大 LED 没有谐振腔。 性能上 LED 没有阈值特性 , 光谱密度比 LD 高几个数量级 ,输出功率小 LED 有阈值特性，输出光功率大 ，光谱密度小，发散角大。 优点 价格便宜，寿命长 相干光 光电效应：光辐射入射到光电材料时，光电材料发射电子，或者其电导率发生变化，或者产生感生电动势的现象。 光电效应分为内光电效应和外光电效应，具体有光电子发射效应、光电导效应、光生伏特效应、光子牵引效应和光电磁效应。 光电探测器输出的平均光电流表达式：P33 计算γ值（作业中） 已知某光敏电阻在500Lx的光照下阻值为550Ω而在700Lx的光照下阻值为450Ω，求该光敏电阻在550lx和600lx光照下的阻值。（相关知识P42） 解 光敏电阻输入电路设计中，负载RL和电源电压Ub是两个关键参数； 光电池等效电路图及光电池的电流方程式（P58） 光电池的应用主要两个方面：一是作为光电探测器件，二是将太阳能转化为电能； 硅光电二极管与光电池的比较P66：硅光电二极管在结构和工作原理上与硅光电池很相似。如果应用于光伏工作模式，其机理与光电池基本相同，属于PN结型光生伏特效应。但是与电池比较略有不同：①就制作衬底材料的掺杂浓度而言，光电池较高，约为1016～1019原子数/cm3,而硅光电二极管则为1012～1013原子数/cm3,②光电池的电阻率低约为0.1～0.01Ω/cm,而硅光电二极管则为1000Ω/cm；③光电池在零偏置下工作，硅光电二极管通常在反向偏置下工作；④一般来说，光电池的光敏面积都比硅光二极管光敏面大得多，因此硅光电二极管的光电流小很多，通常为微安级； 第四章节作业5、6 关于爱因斯坦定律的有关计算P85注意表达式个