倒装大功率白光LED热场分析与测试.pdfVIP

维普资讯 光 电 子 ·嫩 兴 第 16卷 第 5期 2005年 5月 JournaZofOptoelectronics·Laser Vo1．16No．5 May2005 · 光 电子器件和系统 · 倒装大功率白光LED热场分析与测试 吴慧颖h ，钱可元 ，胡 飞 ，罗 毅 (1．清华大学深圳研究生院半导体照明实验室 ，广东 深圳 518055；2．清华大学电子工程系，集成光 电子 学国家重点实验室 ，北京 100084) 摘要 ：散热是影响大功率 LED正常工作及器件寿命的关键因素 ，本文利用有限元法(FEM)对w 级倒装 大功率白光 LED的空间温度场分布进行 了模拟计算 ，结果与用 自制的测试装置测量 的温度分布相吻 合。在此基础上，保持电流密度不变，研究芯片尽寸与结区温度的关系，计算出在当前的发光效率和封 装结构条件下 ，由于散热条件的限制 ，芯片能承受的最大功率和能达到的最大尺寸。 关键词：有限元法 (FEM)；大功率 LED；温度；芯片尺寸 中图分类号：TN312 ．8 文献标识码 ：A 文章编号 ：1005—0086(2005)05—0511一O4 StudyonThermalPerformancesofFlip-chipHigh—powerWhiteLEDs WU Hui—ying一 ，QIAN Ke-yuan ，HU Fei，LUOYi’ (1．SemiconductorLightingLab．GraduateSchoolatShenzhen，TsinghuaUniversity，Shenzhen 518055， China；2．StateKeyLabonIntegrated0pt0electr0nics，TsinghuaUniversityBeijing100084，China) Abstract：Heatdissipationisakey issue inthe applicationofhigh—powerLEDs，as ithas significantinfluenceontheoutputpowerand Iifetimeofthedevice．Inthiswork，finiteele— mentmethod(FEM)isadoptedtodeterminethetemperaturedistributionin1W high-pow- erwhite LEDs．The simulationresultsshow goodagreementwiththe experimentaldata． ThethermaIIimitoftheavailablepackage iSalsostudied．The influenceofchip—sizeonthe iunctiontemperaturehasbeenstudied．Themaximum inputpowerandchip-sizeundercer- taindesignrequirementare also given．Thismethod offersgreatease inestimatingthe temperaturedistributionandthermaIIimitsofthepackage． Keywords：finiteelementmethod(FEM)；high—powerLED；temperature；chipsize 能提高单个芯片的输出光通量。出光效率一定时，可 1 引 言 以通过提高芯片功率来获得更大光通量，但这受到散 与传统光源相比，LED固体光源具有寿命长、效