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光电检测技术复习三(光生伏特器件).pdf
我的老师说过:光电技术人员应具备不怕黑、不怕冷、不怕密闭的专业素质.
第三章 光生伏特器件
问题一 硅光生伏特器件
硅光生伏特器件具有制造工艺简单、成本低等特点使它成为目前应用最广泛的光生伏特
器件。
问题二 硅光电二极管
硅光电二极管是最简单、最具有代表性的光生伏特器件,其中,PN 结硅光电二极管为
最基本的光生伏特器件。
1 工作原理—基于PN 结的光伏特效应
2 基本结构 1
1) 光电二极管可分为以P 型硅为衬底的2DU 型
与以N 型硅为衬底的2CU 型两种结构形式。
如图3-1 (a )所示的为2DU 型光电二极管的
原理结构图。
2) 图3-1 (c )所示为光电二极管的电路符号,其
中的小箭头表示正向电流的方向(普通整流二
极管中规定的正方向),光电流的方向与之相
反。图中的前极为光照面,后极为背光面。
3 电流方程—普通二极管的电流方程
qU kT ID 为U 为负值(反向偏置时)且 |U| kT/q 时(室温下kT/q≈0.26mV ,
I I D e 1 很容易满足这个条件)的电流,称为反向电流或暗电流。
4 基本特性
1) 普通二极管工作在正向电压大于0.7V 的情况下,而光
电二极管则必须工作在这个电压以下,否则,不会产生
光电效应。
尽量不使用第一象限,因为加正向偏压会抵消内建
电场,减小耗散区,与探测目标背向;
在第三象限,输出电流与光照有很好的线性关系。
2) 灵敏度
越紫外越灵敏,但紫外波段为强吸收,容易损坏光电器件。
3) 光谱响应—光电二极管的电流灵敏度与波长的关系
以等功率的不同单色辐射波长的光作用于光电
二极管时,其响应程度或电流灵敏度与波长的
关系称为光电二极管的光谱响应。
典型硅光电二极管光谱响应波段0.4-1.1μ m,
峰值响应波长约为0.9μ m。
本征体整个材料都可以看作耗散区,Si、Ge、
Sn 只能产生本征吸收。
从图3-5 看出,探测器的探测范围要与信号波长相匹配。
4) 时间响应
i. 以f 频率调制的辐射作用于PN 结硅光电二极管光敏面时,PN 结硅光电二
极管的电流产生要经过下面3 个过程:
在PN 结区内产生的光生载流子渡越结区的时间τ ,称为漂移
dr
我的老师说过:光电技术人员应具备不怕黑、不怕冷、不怕密闭的专业素质.
时间(ns);
在PN 结区外产生的光生载流子扩散到PN 结区内所需要的时间
τ ,称为扩散时间(100*ns)—限制PN 结硅光电二极管响应时间
p
的主要因素;
由PN 结电容C 和管芯电阻R 及负载电阻R 构成的RC 延迟时间
j i L
τ (当R 低于500Ω时为ns 量级,但当R 很大时,τ 也成为
RC L L RC
影响硅光电
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