内调制光电探测器光生电压的模型分析.pdfVIP

内调制光电探测器光生电压的模型分析 吴 凡 ，黄启俊，常 胜 ，王 豪 ，孙 平 ，梁韶华 (1．武汉大学 物理科 学与技术学院，湖北 武汉 430072；2．钦州师范高等专科 物理学院，广西 钦州 535000) 摘 要 ：针对栅K-．X~内调制光电探测器耦合区的影 响，以及横 向发生的抽取效应对受光结的影响，从描述探测 器的?白松方程、电流方程和连续性方程 出发 ，通过计算输 出电流 ，，得 出 厂内调制光 电探测器受光结光生 电压 。 与栅压 的函数关系式，并依此建立 了模型，该摸型与实验结果基本吻合．由于该模型采用 了电路形式，可以用 PSPICE等软件进行模拟 ，这为研究 内调制光电探测器的 内部性质提供了理论基础． 关 键 词 ：内调制；光生 电压 ；抽取效应 ；模拟 中图分类号：O438；TN364 文献标识码 ：A 性符合 ，这为该器件应用于微光探测仪 、比色测温仪 0 引 言 提供更好的基础，得到的探测结果更为精确． 微光探测技术一般是采用光电倍增管或机械斩 1 实验现象 波器加光电探测器所组成的光电测量系统．前者体 积大，电源复杂且需要加高压 ；后者整个系统复杂 ， 内调制光电探测器的基本结构如图 1所示．该 而较难探测诸如生物和化学发光．这两者体积庞大 ， 器件为一个 MOS结构 ，由3个部分组成 ，分别为受 而不易小型化 ，价格昂贵 ，这限制了它们的大面积应 光结 (源区)，输出结 (漏区)，两者之问为一个 MOs 用推广．内调制光电探测器。以其体积小，使用方便 灵活 ，价格便宜等优点受到广泛应用．特别是 由于内 结构的沟道区，称为耦合区一．受光结在光照条件下 调制光 电探测器具有 良好 的提取信号 的能力，已经 产生光生载流子 ，处于浮置状态．在通常情况下 ，由 成功地应用到光纤传感微弱光探测的领域～． 于中问的沟道没有形成 ，光生载流子不能被输 出结 内调制光电探测器的成功使得它在其他方面也 输出．当在栅极上加一个较小 的相对衬底为负的电 得到很好的应用，特别是在比色测温系统 中．由于 压 (如果是 P型衬底则加上一个相对为正 的电压)， 内调制光电探测器使用中输出的交流光电流可以直 此栅压超过阈值电压时，硅表面出现弱反型，于是沟 接进行选频和锁相放大 ，这样就从噪声 中把所需要 道形成 ，通过调节栅压得大小就能改变进入输出节 的输出电流提取 ，大大提高测量的精确度．由于内调 的光生载流子数 目．要注意的是 ：如果栅压过大 ，使 制光电探测器的调制作用是 由栅压控制 ，因此有必 硅表面出现强反型时 ，受光结产生的光生 电流能全 要研究栅压与输出电流以及受光结的关系．国内外 SiO 对于这方面 的研究是 以普通 MOS器件为对象，其 源区采用的普通的电注入 ，因此这些分析不适合该 l 旦 l L 器件．由于内调制光 电探测器结构的特殊性 ，对于 该器件栅压与输 出电流的研究至今 尚未见文献报 n+Si 道．为此 ，本文分析 了该器件 的工作机理 ，通过计算 输出电流 ，得出了光生电压与栅压的函数关系，并建 立了模型，结果表明数值模拟结果与实验结果能够定 图 1 内调制光电探测器结构图 收稿 日期 ：2006-03一l5 十通讯联 系人 E—mail：jun—hq@163．com 基金项 目