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GaN基p-i-n型紫外探测器的电流特性研究 翟阳，黄红娟，闰大为，顾晓峰 (江南大学电子工程系，轻工过程先进控制教育部重点实验室，无锡214122) am (AI)GaN基半导体材料具有较大的光吸收系数，通过改变合金组分可覆盖200．365 波段，且具有优越的物理化学特性，非常适合制作紫外光电探测器。紫外光探测器在军民用 领域都有重要应用，包括导弹预警与跟踪、高密性紫外通信技术、皮肤病诊断、与食品安全 监测等。相对于其它结构探测器，GaN基p．i-n型结构吸引了许多研究者的关注，因为它具 有高量子效率，高探测率，与低漏电流等突出特点。目前，蓝宝石衬底在制备技术和价格方 面占有明显优势，因此，研究最多的GaN基紫外光探测器依然制备在蓝宝石衬底上。然而， 蓝宝石衬底与GaN外延材料之间存在较大的晶格与热失配，薄膜内部往往含有好密度的位 错密度，容易导致晶体质量较差以及相对较大的漏电流密度。一种有效改善薄膜晶体质量的 方法是在图形化蓝宝石衬底上外延GaN。 在之前的研究中，我们在图形化蓝宝石衬底上成功制备了薄P型接触层的平面结构GaN 基p．i．n型紫外探测器(横截面图见图1)，并测试和分析了器件的光电特性。在本文中，我 们测量样品的变温电流．电压特性，分析器件在正向与反向偏压下的载流子输运机制。图2 比较了图形化蓝宝石衬底与标准蓝宝石衬底上的GaN p-i．n外延结构的(102)面的XRD摇 摆曲线，可见前者的摇摆曲线半高宽明显小于后者，表明采用图形化衬底减少了薄膜内的螺 位错和刃位错，提高了薄膜质量。图3(a)和(b)分别是样品的正向和反向的变温电流．电压曲 线。在正向线性区，随着温度从373K增加至473K，电流的理想因子由2．1逐渐减小至1。65 (见图4)，这表示电流传输机制由复合主导逐渐转变为扩散复合共同作用。在反向偏压下， 漏电流表现出明显的电压依赖特性，该行为无法用常规的扩散复合机制解释。我们认为，线 性位错以及周围的点缺陷可能是反向漏电流的主要输运通道。其过程可能是：电子吸收声子 能量的同时，通过线性位错形成的可导连续态与导带之间的缺陷态多步隧穿过程(见图5)。 通过拟合电流与温度的关系，获得平均激活能大约为0．21eV(见图6)。 季季UV 图1图形化蓝宝石衬底GaN基p-i·n型探测器。图2图形化蓝宝石衬底与标准蓝宝石衬底 GaN外延片(102)面的XRD摇摆曲线。 179 联系方式： 闫大为daweiyan@jiiangnan．edu．cn 180