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第四届电能质量及柔性输电技术研讨会
IGBT与快恢复二极管的匹配技术探讨
张冲，于坤山，金锐，刘钺杨，刘江
(中国电力科学研究院，北京市海淀区，100192)
The onFast DiodeMatchedWithIGBT
InvestigationRecovery Technologies
ZHANG
Chong，Kunshan，JinRui，Liu Jiang
Yueyang，Liu
ElectricPowerResearch 1001
(China Institute，HaidianDistrict，Beijing92，China)
introducedthe
ABSTRACT：This
paper features，advantages，
态损耗和电压电流参数的迅速提高，使得IGBT器
trendfast
of diode
applicationprospect，developmentrecovery 件已成为大功率电力电子技术中的首选器件。IGBT
withinsulated
(FRD)matchedgatebipolartransistors(IGBT)
能够实现节能减排，并提高电力的利用效率，具有
thebasic and model
technologies．Expoundsequationphysical
很好的环境保护效益，被公认为电力电子技术第三
ofthedevicesimulationsoftware
ISE，useMDRAW，DESSIS，
次革命最具代表性的产品，是未来应用发展的必然
inISEfor simulationand
TECPLOT，INSPECTpreliminary
onfast diodematchedwithIGBT 方向。
study recovery technologies，
technical whichinfluencethedevice 不过，随着IGBT的应用日益广泛，人们对其
get parameters
forwardseveral methods
performance．Finally，putoptimizing 性能的要求也越来越高。一方面，为了提高工作频
offast diodematchedwithIGBT
recovery technologies． 率，降低系统噪声，IGBT的开关速度应越快越好；
另一方面，为了在不增大散热片尺寸的情况下
KEYWORDS：IGBT；fastrecoverydiode(FRD)；mashed
technology IGBT的功耗又必须足够低。此外，电力系统应用
摘要：本文介绍了绝缘栅双极晶体管(IGBT)与快恢复二中，IGBT的特性必须非常稳定，保证电力的安全、
极管(FRD)匹配技术的特点和优势、应用前景以及发展趋可靠、稳定的运行。近几年来，芯片技术不断改进，
势。阐述了器件仿真软件ISE的基本方程与物理模型，利用 一代又一代高性能的
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