第7章电力电子技术及其应用.docVIP

第 7章 电力电子技术及其应用 本章要点 晶闸管的结构、工作原理和特性 单相可控整流电路 单结晶体管触发电路 本章难点 单相可控整流电路的分析与计算 7.1 电力电子技术简介 电力电子技术是应用于电力领域、以电力为对象的电子技术，它是一门横跨电力、电子和控制的边沿学科，利用电力电子器件对电能进行变换和控制的一门技术。以普通晶闸管为代表的大功率半导体器件及由它们组成的可控整流、逆变、交流调压、直流斩波、变频器和无触点开关等是电力电子技术研究的主要内容。 7.1.1电力电子技术的发展 1.电力电子器件 传统的电力电子器件主要是晶闸管及由它派生的器件。1957年第一只晶闸管出现之后，衍生出快速晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸管、不对称晶闸管等。随着微电子技术与电力电子技术相结合，研制出了新一代高频、全控型电力电子器件，主要有可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）、大功率场效应晶体管（MOSFET）等。电力电子器件的发展趋势：大容量、高频化、模块化、功率集成化。电力电子技术由半控型、全控型器件进入了一个全新的智能型时代。7.2 晶闸管的结构和工作原理 ）(SiliconControlled Rectifier—SCR)，是一种大功率的电力电子器件。晶闸管包括普通晶闸管及其派生器件。由于普通晶闸管应用最为普遍，在本书中主要以普通晶闸管为例进行介绍，只要不加说明，所述的晶闸管即为普通晶闸管。 7.2.1 晶闸管的结构 （a） (b) (c) 图7.1 晶闸管的外形 晶闸管是一种四层三端功率半导体器件，向外引出三个电极，阳极（A）、阴极（K）和门极（G）。其结构如图7.1所示，从外形主要有螺栓型和平板型两种。晶闸管工作时由于通过大电流，发热量较大，必须安装散热器。图（a）））））） (a) (b) 图7.2 晶闸管的内部结构及等效电路 (a)内部结构 (b) 二极管等效电路 (a) (b) (c) 图7.3 晶闸管的三极管等效电路及符号 （a） 内部原理等效电路 (b) 三极管等效电路 (c)符号 7.2.2 晶闸管的工作原理 当晶闸管的阳极和阴极之间加上正向电压而门极不加电压时，即J2处于反偏状态，管子不导通，称为正向阻断。工作原理如图7.4所示。即开关Q打开时， 等效的V1、V2管中没有输入门极电流，只有极小的漏电流，管子处于阻断状态。 当在晶闸管阳极与阴极之间加上正向电压，并且在门极与阴极之间也加上正向电压Ug，从门极流入足够的门极电流Ig，晶闸管就能导通。即开关Q闭合时，从门极流入足够的触发电流Ig，V1管的集电极电流Ic1就是V2管的基极电流Ib2，V2管的集电极电流就是V1管的基极电流Ib1。经过V1、V2管的放大作用，形成强烈的正反馈，即 Eg →Ig →Ib2 ↑→Ic2 ↑(＝Ib2)＝Ib1↑→Ic1 ↑Ib1） 使得三极管迅速饱和导通，晶闸管由阻断转为导通状态。 晶闸管流入的门极电流称为触发电流，晶闸管的导通方式称为触发导通。晶闸管导通后，电流只能从阳极流向阴极，具有与二极管一样的单向导电特性，此电流称为晶闸管的阳极电流或正向电流。此时如果将门极电压去掉，晶闸管仍然处于导通状态，门极电压在晶闸管导通以后就失去了控制作用，说明晶闸管具有正向导通的可控特性。要想让晶闸管恢复阻断状态，只有通过降低阳极电压或增大阳极回路电阻以减小阳极电流。当阳极电流小于维持电流时，晶闸管就重新处于阻断状态。之后即使再增大阳极电压或减小阳极回路电阻，晶闸管的阳极电流也不会增大，说明管子已经恢复正向阻断状态。 图7.4 晶闸管的工作原理 7.2.3 晶闸管的主要参数 Ig之间的关系，特性曲线如图7.5所示。 图 7.5 晶闸管的伏安特性曲线 1）正向伏安特性 特性曲线在第Ⅰ象限，ua0时的特性曲线。当Ig＝0UB0明显减小，在门极电流触发下，晶闸管迅速导通。晶闸管承受正常阳极电压，加上足够的触发电流后，使晶闸管从正向阻断转为导通状态称触发导通。晶闸管正向转折电压随门极电流的增大而降低，特性曲线向左移动。不同门极电流下的伏安特性曲线如图7.5所示。当已经导通的晶闸管的阳极电流Ia减小到维持电流IH时，管子又重新处正向阻断状态。 2）反向伏安特性 反向伏安特性如图7.5第Ⅲ象限，与二极管的反向特性相似。当晶闸管阳极与阴极之间加上反向电压，有很小的反向漏电流流过管子。若反向电