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大功率氮化镓基LED关键技术研究.pdf
第 卷增刊 半 导 体 学 报
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年 月 $
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大功率氮化镓基9’.关键技术研究
马 龙 伊晓燕 郭金霞 王良臣 王国宏 李晋闽
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中国科学院半导体研究所 北京 ,+++-0
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摘要 对大功率氮化镓基 ?!N 的关键技术 尤其是大芯片 ?!N 的结构设计 电极的选择与制备 提取效率的提
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高以及倒装焊技术做了重点的介绍与讨论2
’ ( ( (
关键词 功率 氮化镓 发光二极管 倒装焊
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中图分类号’ j 文献标识码’ 文章编号’ $
[Q0,* b- $ +*.0J(,))*++.%+J+,’.J+.
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分组成$ $ $
即 金属电极压降$ JX5Q 压降$ J6
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前言 结压降 $ 压降 由于 电极接触电阻很
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