VLSI钨插塞化学机械抛光地研究.pdfVIP

VLSI钨插塞化学机械抛光的研究 李志国刘玉岭 (河北工业人学微电予技术与材料研究所，天津300130) 摘要：本文对目前超大规模集成电路钨化学机械抛光(cMP)原理及工艺的一些问题进行了分析．并刺用于钨CMP的 抛光液进行了研究。 引言 随着半导体制造业的发展，集成电路几何尺寸也在不断变小，在越来越小的硅片上集成了更多 的器件，互连线数量不断增加，需要缩小线对宽度或者增加互连线的层数。由于串扰噪声的影响， 金属线对不能缩的过小。因此要将硅片上的平面电路加以多层化。 铝是一种常用互连材料。但是铝的抗电迁移能力差，以传统的DC溅镀法进行铝沉积时，会有 阶梯覆盖不良的问题。金属钨在电路工作温度下自扩散率非常低，不存在电迁移的问题，而且能够 与硅形成很好的欧姆接触，是互连良好材料。 用钨进行互连的一种解决方法是使用CVD钨形成的接触孔插塞。另一种解决方法是用钨做一 层互连金属，把钨用作金属化系统的第一层金属变得越来越普遍。 由于光刻机的焦深减小要求片子的平整度必须在100纳米以内，使得多层布线的每一层都必须 进行全局平面化。化学机械抛光CMP是目前唯一能够提供全局平面化的技术。 钨插塞工艺以CVD法淀积钨之后，需将层问绝缘膜上堆积的多余的钨磨去。反应性离子回蚀法 的过刻蚀会形成凹陷，会造成淀积导线的剧烈起伏，严重的会造成导线断裂，在介层洞上形成两层 导线就很困难，所以需要采用CMP技术。进行钨CMP可以使之后的导线的制作工艺不论再重叠几 层都成为可能。钨的CMP处理已经成为多层布线不可忽视的过程。 钨CMP机理 化学机械抛光法就是利用机械力量对芯片表面做功，提供表面薄膜层断裂腐蚀或成长的力量， 三者之间的交互作用是CMP中发生反应的焦点。 为了获得好的平面化效果，金属CMP过程应该实现在衬底上凸出区域的化学腐蚀较凹陷区域的 快，凸出区域去除速率的较凹陷区域的快，直到它们处于同一平面。达到平面化。为了实现这一目 的．金属抛光液中应该含有刻蚀剂和氧化剂(钝化剂)。氧化荆在金属表面氧化形成一钝化层，保护 凹陷区域不受刻蚀；机械研磨将凸出区域的钝化层去除后刻蚀剂将金属腐蚀掉。鸽是一种北常硬的 选择的氧化剂就可起到钝化和刻蚀两种作用。 Kaufmann等人研究了酸性条件F K3Fe(CN)6作为氧化剂的钨抛光液的反应模型 W+6 (1) Fe(CN)63+3H20_w03+6 IFe(CN)64+6H+ 74 w+6 Fe(CN)63+4H20—w042一+6 Fe(CN)64’+8H+(2) 行的反应。 在氧化剂的作用F。一部分形成了钨氧化物，另～部分被腐蚀成为钨酸根而融解于水中。然后，钨 表面凸起处的氧化膜被磨去，低凹处表面的氧化膜依然存在，阻止了抛光液中氧化剂对深层的钨进 一步腐蚀，从而提高了选择性。新鲜的钨表面在抛光液的作用F继续被氧化，机械研磨除去，反应 产物被湍流的抛光液带走，周而复始，完成钨CMP过程。 Tamboli，Dnyanesh等通过进一步研究提出： 在pH值较低情况下发生的反映为： W03+2H+一W022+H20 在PH值较高情况下发生的反映为： W03+20H‘一WOd。+H20 溶液中增加了W042’离子后，由于WO(2‘离子之间的反应聚合，去除速率进一步增加： 6W04z+7H+-w6020(OH)’+3H20 由此可见，除了机械作用外，电化学行为在钨化学机械抛光中也起到了极重要的作用。影响钨 去除速率的最关键控制因素为： (1)抛光液氧化钨表面的能力。 (2)抛光液腐蚀、分解氧