P-nc-Si%3aH薄膜材料研究与其在微晶硅薄膜太阳电池上的应用.pdfVIP

P—IIC—Si：H薄膜材料研究及其在微晶 硅薄膜太阳电池上的应用① 朱锋张晓丹赵颖任慧志孙建张德坤 熊绍珍耿新华 天津市南开大学光电子薄膜器件研究所，天津，300071 摘要：用RF—PECVD技术，在高氢稀释率、高辉光功率书件下获得了高电导率、宽光学带隙的 P型纳米硅薄膜材料(d一0．7S／em，E。2．0eV)。将这种材料应用于微晶硅薄膜太阳电池 为：glass／SnOz／ZnO／p—nc—Si：H／i—pc—Si：H，／n—pcSi：H。首次获得效率簟一4．2％的微晶硅 薄膜太阳电池(v。。一0．399V№J=20．56mA／cm2，FF一51．6％)。 关键谰：RF-PECVDVHFPECVD纳米硅微晶硅太阳电池 X × dilutionand Pnc—Si：Hthinfilmmaterials Abstract：UnderH2 high highplasmapower，the with andwider obtainedRp highconductivityEopt(口=0．7S／cm，Eopt2．0eV)w-ere by PECVD materialswereusedin siliconsolar I technology．This microcrystallinecells，whose was VHF—PECVD the electrodewas layersdepositedby technology．，andtransparent was SnOz／ZnOmultiple．The glass／Sn02／ZnO／pnc—Si；H／I—pc—Si：H／n—pc～ configuration with Si：H．，Theconversion 4．2％was efficiency wasthefirst siliconsolarcelIil3China． 20．56mA／cm2，FF=51．6％)，whichmlcrocrystaIIine nanosilicon silicon VHF-PECVD solarcell Keywords{RF—PECVD microcrvstalline 本实验使用RF_PEcVD技术，在高氢稀释情况 1引言 下，通过调节沉积功率和B掺杂浓度，获得高电导、 宽带隙的P型纳米硅薄膜材料。将该材料应用于 在PIN型微晶硅薄膜太阳电池中，P层作为电 池的窗口层，对电池性能有重要影响。P型a— 料，制备出效率达4．2％的微晶硅薄膜太阳能电池。 SiC：H在PIN型非晶硅薄膜太阳电池中被广泛使 用。其光学带隙最大可以达到～2．0eV[1]，但电导