量子有序磁性纳米陈列地研究.pdfVIP

量子有序磁性纳米阵列的研究 覃东欢，力虎林幸 51) 摘要 研究和开发新一代超高密度J盛记录材料已经得到了人们的普遍关注．近年来，将磁性金 属或合金注入非磁·硅介质中而得到相互隔离的量子点阵薄膜，这方面的研究已成为研究的热 点““．这种方法的基本思路是：先生产出具有高孔密度和长径比可控的模板，然后在其微 孔内注入磁性金属或复合磁性材料，从而得到非常有序的纳米绒阵列．具有这种阵列结构的 阵列膜也称之为量子磁盘结构(QMD)．与常规磁盘比较，QMD所具有的优点为：1)每一位的 磁矩自发量化．2)量子化的写入过程战少了对写头的要求和写头的精确定位．3)小，平滑 的隔离传输区域使得记录密度很高并且传输噪音近似为O；4)能精确定位读写头，克服了超 顺磁极限．s．Y．Chou等人o‘通过把磁性物质注八50nm或更小的有序非磁．『生介质的微孔内而 00(；bit／i 得到具有量子磁盘(QllD)结构的蚋米线阵列，相应的记录密度可以迭到4 n2或更高． 我们课题组90年代初就开展了以氧化铝模极为载体制备半导体，磁性，聚合物等蚋米 线”’i“．本文利用交流电沉积的方法成功地制备了co蚋米线有序阵列，经过机械化学抛光 后用磁力显檄镜(MFM)首次观察到了分立有序曲单畴分布图象，样品磁化后，磁矩能反转， OOGbi 若让每一个单畴记录一个信息位，理论记录密度高速1 t／cd．由于我们制备手段简单， 原料成本低。对于开发新一代超高密度存储器件具有良好的应用前景． Bll2 l实验 l_l多孔阳极氧化铝(AAO)模扳的制备 多孔阳极氧化铝的制各过程如下：高纯铝基片在氩气氛围保护下，低真空(133Pa)，40ffC 下热处理5小时，样品经过清洗，物理和电抛光等工序后。在0．6M／L的草酸电解质中阳极 氧化10小时-氧化电压为35V。将模板取下，浸泡在40。c．0．1M的P。P04溶液中，以除去 表面的氧化层n 15分钟后，取出模板，用二次水多次冲洗，氮气吹干，然后在35V T13EI极 氧化20分钟，为了增加模板的导电性，降低阻挡层的影响，采用阶梯降电势的方法．即在 原有电压的基础上，每次降低5％，直到电压降到5伏左右。得到的模板平均孔径约为40nm． 孔密度在lo”∞一～10”∞1之问。 I．2 Co纳米线有序阵列的制备以及表面处理 汽积Co纳米线的电解液由0．2M／L coS吣7H曲．0．7M／L他B缟混合液组成：PH值在 2．j一：{5之间t交流沉积电压U=lI．2v,沉积时间为20分钟。具有单聘结构的高密度磁记录 纳米阵列．其表面应具有较高的平整度，样品在制各过程中．如不经过预处理。在电解质的 腐蚀下一表面的起伏通常在30—50rm之间。为了得到表面平整度理想的样品，我们对样品进 行了机碱抛光和二次化学抛光处理。先在粒径为0．1¨的抛光膏上进行机械抛光，然后嗣二 旅水每次清洗后放入化学抛光液中，抛光液的组成为：0．5～t／L时0．，0．2M／L cr热，化学抛 也叫杆品夹在自行设计的旋转电极上，抛光液应加热到900C一1lO。C，夹在旋转电极上自：洋品 表面与液面平行，旋转电极的转速为60转／rain，抛光lO分钟．样品取出后．用去离子水多 次冲洗·并用干燥氮气欧干，即可得到表面光滑井由铝基体支持的高度有序的Co纳米线有 序阵列。 3．2实验结果与讨论 mode)照片， 图1显示了孔径阳极氧化铝模板表面形貌的原子力显