加工聚合物微流控芯片硅阳模地研究.pdfVIP

广西师范大学学报(自然科学版) 2003年lo月 JOURNALOFGUANGⅪNORMALUNIVERSITY Vol21 No3 加工聚合物微流控芯片硅阳模的研究 叶美英，殷学锋’，方肇伦 (浙江大学化学系微分析系统研究所，浙江杭州310027) 高分子材料具有种类多、价廉、加工方便、易于实现批量生产等优点．高聚物微流控芯片是当前研究热 点之一n-“．热压法”和模塑法“1是加工高聚物微芯片的主要方法，但都需用与微芯片通道相应的凸形阳 模． 本文研究了用光刻和湿法刻蚀的方法制作微流控芯片硅阳模的方法．单晶硅阳模制作工序示于图1． 在n型100单晶硅片表面生长一层600 模图形，含KOH23．4％、异丙醇14．9％的水溶液作为刻蚀液，在60。c不断摇动的条件下刻蚀3h，得到 的表面光洁单晶硅阳模． 从图1可见，湿法刻蚀时硅片表面仅几十微米宽的微通道处是在光胶和SiO。的保护下，由于光胶与 oc下彻 硅片上SiO：的接触面积很小，为了提高光胶与硅片上SiO：问的粘附力，涂胶前必须将硅片在120 底脱水15 下后烘30min． 刻蚀温度和KOH浓度对刻蚀速度的影响示于图2． I·4 ，1．2 i I E }o．8 蜊 委0．6 垂o．4 坦0．2 O KOH浓度P／o 图2温度、KOH浓度对刻蚀速度的影响 由图2中可见，温度对刻蚀速度的影响较大，温 图1单晶硅阳模制作流程示意图(a)硅片(黑色)上生 右；温度越高，刻蚀速度越快．当温度一定时，刻蚀速 长一层SiOt(白色)．(b)在硅片上涂覆上层光胶(灰色)． 一一 “)在光胶上方紧贴光胶放置掩模胶片后在萦外光下曝 光．(d)显影除去曝光部分的光胶．“)光胶除去部分的大，再进一步增加KOH浓度，刻蚀速度反而减小．与 SiO：刻蚀．(f)硅片各向异性刻蚀 文献报道基本一致o]． 作者简介：殷学锋(1945一)，男．硕士，教授，博士生导师． 广西师范大学学报(自然科学版) 第2l卷 现凹凸不平和台阶状条纹，同时硅片平面上金字塔形突起增多，这可能是由于温度、KOH浓度增加，单晶 硅刻蚀时不同晶面的各向异性减弱所至．在KOH溶液中加入一定量异丙醇，使温度高时产生的突起、凹 的20％，从而增加了单晶硅刻蚀的各向异性o】． 温度和浓度都较低时表面易产生灰白色沉淀物，使硅片表面粗糙，这是由于硅片刻蚀时生成的 Si(OH)。溶解在刻蚀剂KOH中速度变慢，沉积在硅表面所致． 经过对刻蚀液浓度、刻蚀温度的优化，单晶硅片的最佳刻蚀条件为：温度