闪烁晶体量能器用硅光二极管读出地研究.pdfVIP

第11届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集 NuclearDetection Electronics8L Twchnology OnNuclear NationalConference ofthe11th Proceedings 闪烁晶体量能器用硅光二极管读出的研究 夏小米，王 曼，吕军光，周 莉，赖元芬 (中国科学院高能物理研究所，北京100039) 摘要：由予硅光二校管的发展和性能的提高以及它车身具有体积小、抗礁性强，光谱响应能与等晶 体发射光谱匹配等特点，闪烁晶体量能器常用硅光二极管读出。作为BES-Ⅲ量能器的预制研究工作，对 硅光二极管读出的有关同题进行实验研究。 关羹词：硅光二饭管’c81‘T量BG‘女核计数器效应‘能谱响应 BES一Ⅲ拟采用闪烁晶体量能器取代BES—输出。利用前放142ih的偏置插座，将反向偏压 I的气体取样量能器使BES探测器的能量分加到光二极管上。 辨率有明显提高。近年来，由于硅光二极管的发 俯置电压 展和性能的提高以及它本身具有体积小、抗磁 性强、光谱响应能与等晶体发射光谱匹配等特 点，闪烁晶体量能器常用硅光二极管读出。作为 BES一Ⅲ量能器的预制研究工作，我们对硅光二 极管读出的有关问题进行实验研究。 l实验装置 图2 PD与电荷灵敏放大器的联接示意图 1)闪烁晶体及光二极管(PD)的包装(图 (2)测量电子学框图(图3) 1)。 1周 固昌目圈 仁示盐： 图3测量电子学框图 3)主放成型时间的选择 辫l闪烁晶体强光=极管(PD)的包装 第一轮选择实验(半离吏／蟑位(％)) 闪烁晶体及光二极管都须用AI膜很好屏 蔽，否则噪音干扰太大n]。 z)测量电子学概图 (1)PD与电荷灵敏放大器的联接(图2) 可以用正偏置电压，也可以用负偏置电压。 关键是光二极管必须加反向偏置电压。采用 CAEN公司的N126直流电源插件，调整为负 231 511 第二轮选择实验(半离宽／峰位(％)) keVY射线全能峰的相对半高宽(R)一 17．1％； 1274keVY射线全能峰的相对半高宽(R) 一5．6％。 最后选用相对半高宽最小的时间常数：积 分时间选用3ps，微分时间选用1ps。 2对CsI(T1)晶体性能的测量 1)”1Cs的能谱(图4) 图6”Na的能谱 对以上5个能量点的峰位拟合得到图7的 线性 蕞捌罩簟 图4卅cs的能谱(图 峰(662keV)：291道，半高宽：38．59} 一2∞0 1200