利用中频脉冲电源溅射ZnO%3aAl透明导电膜地研究.pdfVIP

利用中频脉冲电源溅射ZnO：A1透明导电膜的研究 王雅欣薛俊明李养贤周祯华王凯杰张德坤 (1．河北工业大学材料学院信息功能材料研究所，天津，300130) (2．南开大学光电子所，天津，300071) 摘要：用磁控溅射法制各ZnO：A1透明导电膜时，降低溅射电压可以减少溅射等离子体中被靶背反射回的中性离 子和负氧离子对基片的轰击，提高薄膜的质量．降低薄膜电阻率．本文研究了用中频脉冲直流溅射法和zn：Al 合金靶反应溅射制各ZnO：Al透明导电膜时，脉冲参数，如脉冲频率、反向脉冲时间、氧氩比、溅射气压等工艺条 件对溅射靶电压和材料性能的影响。结果表明，延长反向脉冲时间是降低溅射电压的最有效方法．当反向时间由 2uS增加到lOuS时， 溅射电压降低了60％以上．氧氩比是影响材料性能的关键因素，改变其他参数时氧氩比 也要随之变化．薄膜的沉积速率随靶电压的降低而减小，随溅射气压的减小而增大．适当降低气压，减小靶电压， 有利于得到高质量的薄膜材料． 关键词： 中频脉冲ZnO：A1透明导电膜，磁控溅射，溅射电压，透过率 引言 J等杂 质，可有效地提高薄膜的电导率，改善薄膜性能。ZnO：A1在可见光区具有高的透射率和低电阻率， 其光学带隙可由铝掺杂的比例进行控制，作为一种重要光电子信息材料，ZnO：A1膜近年来得到广 泛的研究。 电压可以减少溅射等离子体中负氧离子和被靶背反射回的中性离子对基片的轰击，对降低薄膜电 阻率，提高薄膜的质量至关重要。而传统的溅射多采用直流或射频磁控溅射，工艺可控性差，容 易产生弧光打火，使材料损伤严重，质量下降。新型的中频脉冲直流磁控溅射工艺，可以随意调 节脉冲频率、反向脉冲幅度、反向脉冲时间、功率，从而降低溅射电压，消除溅射过程中的弧光 打火，减少材料损伤，大大提高工艺稳定性和薄膜质量。本文研究了用中频脉冲直流磁控溅射法 射气压等工艺条件对溅射电压和材料性能的影响。通过对材料性能的分析，对该工艺进一步优化， 得到具有良好光电性能的ZnO薄膜。 本工作制备的ZnO：A1透明导电膜主要用于非晶硅太阳能的背反射电极中，而太阳能电池n 果最佳”’，所以在这里主要考虑该厚度下，材料的光电性能。 实验 本文实验用的中频脉冲直流电源为美国AE公司(Advanced 它参数不变，研究该变化参数对溅射靶电压的影响。这些参数包括，脉冲频率、反向脉冲时间、 氧氩比、工作气压等工艺条件。再根据实验结果，通过调节反向时间、工作气压来制备性能良好 过率，同时测定其方块电阻大小。 结果与讨论 1．靶电压与各参数的关系 1．1靶电压与脉冲频率的关系 图1表示出了靶电压与脉冲频率的关系，实验中的 其它工艺条件为功率Pw=140watt，溅射气压Ps=0．6Pa， u 02／Ar=1．8／18，反向脉冲时间t反=2s，反向脉冲幅度 V反=20％。 1．2靶电压与反向脉冲时间的关系 图2表示出了靶电压与反向脉冲时间的关系，实验 中的其它工艺条件为功率Pw=140watt，溅射气压 Ps=0．6Pa，02／Ar=1．8／18，脉冲频率f=50kHz，反向脉冲 幅度V反=20％。 图l 靶电压与J埭冲频率的关系 1．3靶电压与氧氩比02／Ar的关系 图3表示出了靶电压与氧氩比()2／Ar的关系，实验 中的其它工艺条件为溅射气压Ps=0．6Pa，功率 PFl40watt，脉冲频率f=50kHz，反向脉冲时间tgi=2 us，反向脉冲幅度V反=20％。 280 260 1．4靶电压与溅射气压的关系 2加