快速热处理对氮化硅薄膜影响地研究.pdfVIP

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 快速热处理对氮化硅薄膜影响的研究 马丽芬1勾宪芳1许颖2励旭东2王文静2任丙彦1 1．河北工业大学信息功能材料研究所天津300130 2．北京市太阳能研究所北京100083 摘要：分别在氢气、氮气和氧气氛下对氮化硅薄膜进行不同时间快速热处理，测其退 火后的厚度、折射率、红外吸收光谱的变化。结果发现退火后氮化硅薄膜变得致密，折 射率升高，抗高氧化性能提高，并且退火时间长短对这些性能的变化没有影响。 关键词：氮化硅薄膜快速热处理PEVCD 0引言 PEVCD法由于其灵活性、沉积温度低(“0doC)、沉积速度快和重复性好而成为制 备氮化硅薄膜的最常用的CVD方法之一，并不断地得到改进。它通过激发稀薄气体进 行辉光放电得到等离子体，利用等离子体的活性来促进反应。可在较低的基板温度下甚 至不需加热的情况下制备薄膜，避免了高温导致基板变形和组织变化的缺点。此法工艺 较为简单，沉积的薄膜厚度和成分均匀性好，附着力高。… 快速热处理(Ⅱ心)具有快速升温的特点，可以显著减少杂质扩散和金属沾污，同 时由于TRP的热电偶直接测量硅片的温度，因而温度控制比较精确，因此TRP在当今 的集成电路制造中得到了广泛的应用。12J 氮化硅薄膜是一种物理、化学性能十分优良的介质膜，具有良好的光电性能、化学 稳定性、热稳定性和抗高温氧化性，抗杂质扩散和水汽渗透能力强，硬度高，耐磨损性 能好。【21因此，自Swann和Sterling报道【31氮化硅薄膜适合于硅集成电路钝化以来，氮化 硅薄膜在微电子和光电领域的应用日益广泛。近年来，国内外文献对PECVD法制备氮 化硅减反膜以及表面钝化和体钝化的研究已有部分报道【4J，但对退火后的氮化硅薄膜性 能的研究国内外报道很少。所以本文研究不同气氛下对氮化硅薄膜快速退火后的特性， 对于提高氮化硅薄膜质量，更广泛的应用氮化硅薄膜，是很有意义的。 1实验 1．1样品准备 用KoreaP型双面抛光CZ单晶硅片晶向(100)，厚约700llm，电阻率约lOQ·cm， 样品经丙酮、乙醇超声清洗10分钟除去油脂、蜡等有机物后，再依次用Ⅲ号清洗液(浓 H!f)：：H!O=1：1：5)煮沸。再用10％的HF溶液浸泡二分钟，除去表面氧化层，大量去 离子水冲洗干净、烘干备用。 一287- 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 1．2氮化硅薄膜沉积 沉积20分钟。 1．3氢气氛中快速退火 为观察薄膜在退火后的特性变化，把样品分别放在H2气氛中快速热退火(RTP)。 退火时间分别为10秒、20秒、30秒……120秒，退火温度为800C。 1．4氮化硅薄膜的性能测试 采用椭圆偏振光仪、美国Nicolet公司傅立叶变换红外吸收光谱仪(FTIR)分别测 量薄膜厚度和薄膜的折射率；红外吸收光谱。 2结果分析 2．1厚度与折射率的变化 退火后，氮化硅薄膜的厚度均由原来的3600A左右减少到2800A左右，其折射率也 由原来的1．83升高到2左右，数据如表一。实验发现退火后薄膜变得致密，折射率提高， 退火时间长短对氮化硅薄膜的厚度和折射率并没有影响。三种气氛相比，氢气氛中退火 后的氮化硅的折射率升高较多，氧气氛中退火的氮化硅的折射率升高不明显，个别有降 低的现象。 · 表一退火后氮化硅薄膜的折射率 The of thinfilmafter Table1 oftheIefracfiveindexSiN change annealing 退火时间 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100llO120 H2退火后 2．03 1．962．041．91 2．04 1．91 2．032．022．001．92 1．95 1．99 的折射率 N2退火后 1．94 1．98 1．98 1．95 1．94 1．961．9