太阳电池硅片中碳的热行为与对氧沉淀影响的研究.pdfVIP

太阳电池硅片中碳的热行为及对氧沉淀影响的研究+ 霍秀敏，傅洪波，赵秀玲，任丙彦 (河北工业大学材料学院信息功能材料研究所天津300130) 王会贤，曹中谦，张学强，刘彬国 (宁晋晶隆半导体厂宁晋055550) 摘要：为研究太阳屯池硅片中碳对氧沉淀的影响，以及热处理对少子寿命的影响，实验中采用氧含最相差 较小，碳含量差别较大的P型(too)直拉硅(Cz-Si)片，设计了不同温度、气氛的热处理工艺．发现：1050(2 商温处理后碳．硅．氧复合体很难形成，少于寿命有所降低； 热处理后发现低碳样品中碳不参与氧沉淀的长 大，而高碳样品中碳参与氧沉淀的眭大；且高碳样品有利于氧沉淀的形成。 引言 碳在硅中处于替位位置，是非电活性杂质，在热处理过程中，碳自身是很难沉淀的，仅可以形成微 量的SiC沉淀。但当氧浓度以过饱和形态出现在硅晶体中，在热处理时会产生氧沉淀。如果碳被引入， 大都认为碳能够促进氧沉淀，有文献报道【1j，杂质碳形成的具有体积收缩效应的微沉淀适合作为Si02 沉淀的形核中心。特别是在低氧浓度的硅样品中，碳对氧沉淀有着强烈的促进作用。但是，在具体的促 进方式上，看法并不统一。一种观点认为碳对氧沉淀的促进作用主要体现在低温退火时，当硅晶体高温 约850℃左右)，低于临界温度，碳原子参与氧沉淀的形核和长大，表现为氧沉淀的同时碳浓度大量降 低。在低温退火时，研究者[31发现氧沉淀的数量随着碳浓度的增加而增加，也就是说高碳硅样品具有更 多的氧沉淀炯时，随着退火时间的延长，硅中替位碳的浓度逐渐降低。由此推断磁在低温退火时参与 了氧沉淀的形核过程，从而促进了氧沉淀。和低温退火时碳的行为相反，在高温退火时碳的浓度变化不 大。经过低温处理碳浓度降低的硅晶体，再经高温热处理时，碳浓度有回复现象，从而说明碳杂质在高温 时不影响氧沉淀的生长。在高温热处理时，J、于临界形核半径的氧碳复合体或含碳的氧沉淀核心溶解， 重新溶入硅基体，不再参与氧沉淀的长大，故而碳浓度也有所回升。 直拉硅单晶中，碳是很重要的杂质，对材料性能有很大影响”J。太阳能用硅单晶的原材料与Ic级 直拉硅单晶有差异，含碳量高，太阳电池用硅单晶拉晶速度快，故冷却速度也快；而且相当数量的单晶 是以普通直拉硅单晶的头尾料为原料的，故而含碳量较高。 不同热处理时，碳参与氧沉淀形式不同，硅片少子寿命有不同变化，从而影响太阳电池光电转 换效率，但文献中未见这方面相关报道。本文主要在各种热处理条件下，研究了太阳电池用直拉硅单 晶中碳的沉淀性质和对氧沉淀的作用，以及对少子寿命的影响。 实验 I．样品 为研究碳对氧沉淀以及熟处理对少子寿命的影响，实验样品选取了氧含量差别很小，而碳含量差别 很大的样品。参数见表I． ‘河北省自然基金资助项目 表I．样品参数 编号 电阻串 氧含量 碳含量 ／0·cmI101’atomslcm3／10。’atoms／era3 1 1．73 10．3 I．0 2 1 43 10．4 1．8 3 1．65 11．3 7．3 4 1．42 11．0 126 2．实验步骤： 理。然后将每片划成三部分，分别在850C、950cj}11050℃进行热处理：保护气氛为氩气；热处 理时间分别为等温处理2小时。然后测试每个退火过程后硅片的少子寿命和氧碳含量的变化。 3．红外测试方法： 用红外Fourier变换谱仪测量热处理后氧浓度的变化。采用的公式为： [01]=4．8x10”ao／d(atoms／cm3) 式中：[O。]一间隙氧的浓度；d．8xlO”一吸收系数；a0一1106cm1处氧吸收峰的高度；d一硅片的厚度。 4．用日产薄片寿命仪测试少子寿命：每片样品用SiN，沉积后，测试少子寿命。 仪器型号：wCT-100