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聚N-丙烷磺酸苯胺/ V O 干凝胶纳米杂化材料的研究
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赵晶 王庚超 李星玮
超细材料制备与应用教育部重点实验室，华东理工大学材料学院，上海 200237
关键词：聚（N-丙烷磺酸苯胺） V O 干凝胶 纳米杂化材料 插层
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通过N-丙烷磺酸苯胺（SPAN）与层状V O 干凝胶（VXG ）进行插层原位聚合反应，
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制备出 PSPAN/V2O5 纳米杂化材料，利用导电聚合物 PSPAN 的高导电率弥补了纯VXG
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作为锂离子电池正极材料时载流子传导率较低的缺陷 。PSPAN 的插入对V O 的骨架结
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构起到稳定作用。并且PSPAN 中含有 -SO3-基团，具有自掺杂效应，在充放电过程中对
[2]
阴离子的迁移量较少 ，从而改善了循环寿命。
本论文通过双氧水（H O ）氧化水解V O 结晶粉末制得层状V O 干凝胶。N-丙烷
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磺酸苯胺通过苯胺与 1，3—丙烷磺内酯反应获得。V O 干凝胶在水介质中呈酸性并具有
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强氧化性，使 N-丙烷磺酸苯胺在氧化还原驱动力作用下，嵌入 V2O5 层间并发生原位聚
合，制备出PSPAN/V O 纳米杂化材料。
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XRD （图1）研究表明， VXG 在7.5°处有一个强衍射峰，对应于V O 的001 晶面，
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其层间距为 1.17nm。PSPAN/V O 的 001 峰向小角度移动，2θ=6.8° ，对应的层间距为
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1.31nm，比VXG 的层间距扩大了0.14nm，这表明有部分PSPAN 已插入到VXG 的层间。
在如此狭小的V2O5 片层间内链构象只能是伸展状态，而非紧缩链构象。
TEM 照片（图2 ）显示，层状VXG 及其杂化材料PSPAN/V2O5 均出现了明暗相间的
条纹，其中黑色条纹为V2O5 的骨架部分，而灰色条纹则代表了层间区域。PSPAN 的插入
使得杂化材料的层间距（灰色条纹）有所增大，这与XRD 的测试结果相一致。
IR 谱图（图 3 ）可见， PSPAN/V2O5 杂化材料既显示了聚 N-丙烷磺酸苯胺 PSPAN
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的红外吸收特征（1574cm 、1478 cm 、1309 cm 、1134 cm ），又呈现了V O 骨架特
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