电子束制作3mm器件0.1μm+T型栅地研究.pdfVIP

2005年12月 第十三届全国电子束·离子柬·光子柬学术年套 湖南·长沙 电子束制作3mm器件O．1斗mT型栅的研究 o．1 m usedin3mmdeviceEB ManufacturingI-L T-gate by 刘玉贵罗四维王维军丁奎章 (中国电子科技集团公司第十三研究所) 摘要：本文报导了用电子束制作3mm器件研制中0．1斗mT型栅的工艺技术，重点介绍SiN介质 加腔这种结构的工艺研究、优缺点及应用水平。 关键词：电子柬，T型栅，氮化硅。胶。 Abstract：Thisdescribesthe of O．1ure ． paper pmcesstechnologymanufacturingT—shapegate device Onthe and usedin3mm EB，and by putsemphasis processing，advantagedisadvantage，and levelofthestructureofSiN+resist． application Keywords：EB，T-shapegate，SiN，resist． 一、引言 由于MHEMT独特的能带结构，和低噪声、高功率增益、低功耗、高效率等特点，被公认为毫米波 单片集成电路领域中最具有竞争力的器件，特别适宜于高频电子器件的应用。有了好的材料，细栅的 加工成为器件研制的关键技术之一。我们利用电子束曝光系统先后研究出多种不同工艺结构的T型 栅加工技术，如双层胶、三层胶以及SiN介质加胶等结构，其中SiN介质0．1IxmT型栅工艺技术为 3mm器件的研制提供了技术平台。研制出的器件主要性能如下： 直流特性：Iz．4(X)mA／mm。g．=600mS／mm。 射频特性：单管小信号s参数，fT≥175GHz，在100 GHz实测C一=5．7dB； 单片放大器在97GHz—102 GHz时G一=12．7dB。 二、0．1iJmS．N介质T型栅研制 2．1研制目的 在MHEMT研制过程中，缩减栅电极的几何形状可以获得更短的电子传输时间，但同时却引起栅 电阻凡的激增。这明显影响了高频性能、截止频率￡。，特别是噪声特性。要解决这一问题，可以使用 T型栅的研 T型或r型栅电极，它的栅长较小而横截面较大，从而可以有效的减小栅电阻R。。0．1斗m 究，就是要为3mm器件的研制提供一个技术平台。 2．2工艺设计 易控制一些，但栅金属化后剥离的结果不太理想，主要是易出现毛边。三层胶结构剥离的结果很好，但 曝光和显影条件相对苛刻一些，特别是小于0．2ttm的T型栅，控制不好很容易出现断条，或者栅长变 一85— 2005年12月 第十三届全国电子束·离子束·光于柬学术年会 湖南·长沙 化较大，重复性、稳定性不好。为解决上述问题，我们设计了另外的工艺方案，即由PMMA+SiN控制栅 制的稳定性大大提高，也有助于提高效率，可以用低效率但高精度的电子束设备写栅，而栅帽顶用高 效率的Stepper来曝光。采用这种二次直写自对准技术来制作T型栅，有很好的可控性，重复性、稳定 性好。 二 23研究结果 2．3．1 T型栅形貌 图1和图2分别为电子束两次自对准直写后的胶形SEM照片。图3为挖槽、TiPtAu金属化并剥 离后形成的T型栅结构的SEM照片。 图l-直写栅长并显影后的胶形SEM照片 图2．直写栅帽并显影后胶形SEM照片 图3．T型栅