化合物半导体太赫兹(THz)发射光谱地研究.pdfVIP

——一 化合物半导体太赫兹(THz)发射光谱的研究 赵国忠“。，张振伟1，崔伟丽1，张存林1 1首都师范大学物理系，北京100037 摘要：本文利用反射式太赫兹(THz)辐射产生与探测系统，研究了基于不同半导体的太赫兹(THz) 发射光谱．通过快速傅立叶变换(FFT)，我们由测得的THz时域光谱得到了其相应的频域光谱，从而 对不同半导体的THz发射性质进行了比较．结果表明，未掺杂的砷化铟(ZnAsl较其他半导体有更高 效的THz发射本领。 关键词：THz，半导体，电光取样，发射光谱 尽 SPECTRA BASED0NDⅡrFERENT TERAHERTZ(TtIz)EMISSION SE施CoNDUCTDRS ZHAO Cunlinll Guozhon91，ZBANGZhenweil，CUIWeilil，ZHANG