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常用半导体器件 半导体的基本知识 半导体二极管 特殊二极管 双极性晶体管 复合管 场效应管 集成电路 半导体材料 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。 导 体（conductor） ：ρ10－4Ω·cm 绝缘体（Insulator） ：ρ109Ω·cm 半导体（Semiconductor） ：导电性能介于导体和绝缘体之间。 半导体原子结构（Atomic Structure） 本征半导体(Intrinsic Semiconductor) 本征半导体： 化学成分纯净、结构完整的半导体。它在物理结构上呈单晶体形态。 载流子：能够参与导电的带电粒子。 杂质半导体 杂质半导体 小 结 PN结（PN Junction） PN结的单向导电性 PN结的特性曲线 PN结的V-I 特性表达式 PN结的正向特性 死区电压Vth 硅材料为0.5V左右；锗材料为0.1V左右。 导通电压Von 硅材料为0.6~0.7V左右；锗材料为0.2~0.3V左右。 PN结的反向特性 反向电流： 在一定温度下，少子的浓度一定，当反向电压达到一定值后，反向电流IR 即为反向饱和电流IS，基本保持不变。 反向电流受温度的影响大。 PN结的反向击穿特性 反向击穿：当反向电压达到一定数值时，反向电流急剧增加的现象称为反向击穿（电击穿）。若不加限流措施，PN结将过热而损坏，此称为热击穿。电击穿是可逆的，而热击穿是不可逆的，应该避免。 半导体二极管 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。 点接触型二极管 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 平面型二极管 往往用于集成电路制造艺中。 PN 结面积可大可小， 用于高频整流和开关电路中。 二极管的图形符号 半导体二极管的V-I特性 与PN节类似 实际当中的二极管 半导体二极管的参数 最大整流电流IF 反向击穿电压VBR和 最大反向工作电压VR 反向电流IR 正向压降VF 最高工作频率fM 结电容Cj 稳压二极管 稳压二极管构成的稳压电路 其它类型的二极管 小 结 半导体三极管(Semiconductor Transistor) 有两种类型:NPN型和PNP型。 双极性晶体管的常见外形 晶体管的电流放大作用 3种放大电路 晶体管的电流分配关系 晶体管的电流分配关系 共射特性曲线 共射特性曲线 晶体管的主要参数 晶体管的主要参数 (b) 共基直流电流放大系数 =（IC－ICBO）/IE≈IC/IE 交流参数 极限参数 极限参数 思考题 既然BJT具有两个PN结，可否用两个二极管相联以构成一只BJT，试说明其理由。 能否将BJT的e、c两个电极交换使用，为什么？ 为什么说BJT是电流控制型器件？ 例 题 如图所示各晶体管处于放大工作状态，已知各电极直流电位。试确定晶体管的类型（NPN /PNP、硅/锗），并说明x、y、z 代表的电极。 场效应管的特点和分类 利用输入回路的电场效应控制输出回路的电流；仅靠半导体中的多数载流子导电（单极型晶体管）；输入阻抗高（107~1012?），噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强，功耗小。 结型场效应管 结型场效应管的结构 结型场效应管 综上分析可知： JFET沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，所以场效应管也称为单极型三极管； JFET 栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因此输入电阻很高； JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制； 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。 结型场效应管的特性曲线 绝缘栅型场效应管 IGFET（Insulated Gate Field Effect Transistor） MOS（Metal Oxide Semiconductor） N沟道增强型MOS管的工作原理 当vGS=0时， 漏-源之间是两个背靠背的PN结，不存在导电沟道，无论 vDS 为多少， iD=0 。 N沟道增强型MOS管的工作原理 当vGS进一步增加时，一方面耗尽层增宽，另一方面衬底的自由电子被吸引到耗尽层与绝缘层之间，形成一个N型薄层，称之为反型层，构成了漏-源之间的导电沟道（也称感生沟道）。 N沟道增强型MOS管的工作原理 N沟道增强型MOS管的特性曲线与电流方程 N沟道增强型MOS管的转移特性曲线与输出特性曲线，与JFET一样，可分为四个区：可变电阻区、恒流区、夹断区和击穿区。 N沟道耗尽型MOS管 与 N沟道增强型MOS管不同的是， N沟道耗尽型MOS管的绝缘层中参入了大量的正离子，所以，即使在vGS=0时