磁控溅射SiC薄膜及其光电特性研究.pdfVIP

( ) 190 功 　能 　材 　料 2007 年第 2 期 38 卷 磁控溅射 Si C 薄膜及其光电特性研究 周继承 ,郑旭强 ( 中南大学 物理科学与技术学院 ,湖南 长沙 4 10083) 摘 　要 : 　用射频磁控溅射法制备了 SiC 薄膜 ,并对其 其溅射气体为纯度 99 . 99 % 的氩气 ,衬底为抛光载玻 进行了退火处理 。用 A FM 观察了薄膜的表面形貌 , 片 。在沉积薄膜前 ,首先用去离子水清洗基片 15min , 测量了薄膜的厚度与透射光谱 。用J . C. Manifacier 提 紧接着分别用丙酮和无水乙醇在超声波清洗机各清洗 出并由 R . Swanepoel 加 以修正和完善的包络线法对 15min ,然后再用去离子水冲洗 。当真空度达到 1 × 薄膜透射光谱进行了分析计算 ,并结合 Tuac 公式确定 10 - 3 Pa 后 , 向真 空室冲入氩 气 , 调节 气体流量 达 了薄膜的光学带隙。结果表明:在不同射频功率下制 150ml/ min ,使室内压强保持在 1. 0 Pa ;调节射频功率 备的薄膜均有较强的蓝紫光吸收特性 ,在低功率下可 到预定功率 ,分别为 100 、150 、2 10 、300W ;沉积温度和 制备出表面平整 ,吸收系数小 ,光学带隙大的薄膜 ;退 时间分别为室温和 25min 。薄膜沉积前为了去除靶材 火处理后薄膜的吸收系数减小 ,光学带隙增大 , 晶粒向 表面的氧化物先进行 10min 的预溅射 ,然后移开挡板 圆形转化且尺寸变大 。 开始沉积 。 关键词 : 　SiC 薄膜 ; 射频磁控溅射 ; 表面形貌 ;光学 用 R TP600M 型快速退火炉对部分样品进行了 特性 700 ℃/ 150 s 的快速热退火 。用 N TMD T 型原子力显 ( ) 中图分类号 : 　TN 304 . 055 ; TN 304 . 2 ; TN 305 . 92 微镜 A FM 观察薄膜的表面形貌 ; 用 Alp haSt ep IQ 文献标识码 :A 型台阶仪测量薄膜厚度 ;透射光谱用 TU1800 型紫外 ( ) 文章编号 :100 1973 1 2007 020 19003 可见光分光光度计测量 ,测量范围为 330～1000nm 。 1 　引　言 3 　结果和讨论 SiC 作为一种很有应用前景的半导体材料 , 以高 3 . 1 　沉积速率与射频功率的关系 的禁带宽度 ,高的击穿场强 、高的电子热导率 ,高的电 图 1 给出了沉积速率与射频功率的关系曲线 。由 子迁移率 , 以及抗辐射能力强 ,结实耐磨损等物理化学 图 1 可知射频功率对沉积速率的影响很显著 , 当射频 特性特别适合于制作高频 、大功率