新型大解度背散射电子探测器的研制.pdfVIP

电子显微学报J．Chin．Electr．Microsc．Soe． 7 新型大角度背散射电子探测器的研制 唐圣明1 陈思琴2 (中科院上海冶金研究所，1．信息功能材料国家重点实验室 2．传感技术国家重点实验，上海200050) 在电子束与物质的相互作用中，：次电子和背散射电子一直足人仃J研究的主要对象。早在 50年代，背散射电子就成为电子探针的重要成像信号。而：次电子探测技术的突破件发展叉导 953 致了六十年代扫描电镜的诞生。几f’年来，背散射电子的探测技术也得到了相应的发展，从1 ～1955年的一般探测器(闪烁体光导管光电倍增管系统)，到1966～l969年的同体电子探测 器，以及I974～1978年大角度闪烁体光电倍增管系统的诞生，背散射电子的探测器经历了二三个 重大的发展阶段“。 表1列出了它们之间的性能差异。 新型大角度背散射电子探测器由塑料闪烁体、电子线路与机械传动、密封结构三部分组成。 i．塑料闪烁体的制造 采用优质国产塑料闪烁晶体，经车、铣、刨等机械加工后．在其信号接收面与光电倍增管相接 触的端面采用手工抛光．其形状如图1。然后，在真空镀膜仪巾，在其信号接收而上喷镀一层铝 (50nm)。这层铝膜有以卜-作用： (1)由于塑料闪烁体本身并非良导体，为防止电子束在lN烁体r的积累。故喷镀此铝膜； (2)此层铝膜通过机械结构接地．保持零电位，为接收试样上产生的二次电子和背散射电子创造 一个良好的条件(既能接收背散射电子，又能接收_二次电子)。 在塑料闪烁体朝向极靴的一面，装有一保护套(图l中未显示)，它采用0．5mm铜片弯嗣而 成，其目的既是为了防止电子束轰击塑料闪烁体『fii产生的电荷积累，同时，也为了防止翅料闪烁 体叉型尖端的折断。 2．电子线路的设计与制造 电子线路的方框图如图2所示。虚框内的线路均安装于一个独市的机匣中。此线路共分三 个部分。 5V 第一部分：高压发生器。这是一个整体高压模块。它ff{主机+24V电源，经降压变为。1 作为模块的电源，通过调节外接环路中的10K多圈电位器，可输出100～1000V可变电压。作为 光电倍增管的高压，操作者通过调节此高压来控制光电倍增管的增益，从而控制输出的背散射电 子信号强度。 第■部分：前置放大器。光电倍增管产生的信号先巾安装于光电倍增管尾部的前置放大器 (1)放大，然后，通过前置放大器(2)进一步放大，并通过一个三通接l1与?次电子探测器的倩号 一起输入到主机(SEM)的二次电子主放大器的输出端『．。在获得二次电子图像的基础上，霍加 上一幅背散射电子图像，当然，关闭二次电了图像时，就成了单独的背散射电子阿像了”。 第三部分：高压显示器。采用成品I，ED数码显示器，由+5V作为电源，由高压发生器的高压 显示端(100：1)作为信号输入，并通过10：】的电阻衰减网络接到显示器上。 电子显微学报J．Chin．Electr．Microsc．Soc 1999正 8 18(Supp)：7～8 3．机械传动与密封结陶 由于大角度背散射电子探测器的探头(塑料闪烁体)比较大，差不多占据了极靴与试样之间 的大部分空间，因此，在不需要拍摄背散射电子图像或做x射线能谱分析时，必须把背散射电子 探头退出试洋上疗。在机械结构上，采取了以下两点措施； 1．采用蜗杆与齿条结掏，解决探头的移动与定位问题。 2．采用一系列径向密封圈来解决探头、光电倍增管与试样壁的密封唰题。 采用以上方法，利用国产材料制成的新型大角度背散射电子探测器已与KYKY一1000B SEM联机，并已获得满意的结果。 表l三类探测器的性能比较 探测器种