RF反应溅射法制备NiFe%2fAl-%2c2-O-%2c3-%2fCo磁性隧道结探究.pdfVIP

772 功 能 材 料 2004 年增刊 （35 ）卷 RF 反应溅射法制备NiFe/Al O /Co 磁性隧道结研究 2 3 ∗ 张万里，彭 斌，唐晓莉，蒋洪川，张怀武 （电子科技大学微电子与固体电子学院，四川 成都 610054 ） 摘 要：采用 RF 反应溅射法制备了室温下 TMR 值 反应溅射制备了NiFe/Al O /Co 磁性隧道结，测试结 2 3 达6.5%的NiFe/Al O /Co 磁性隧道结。样品制备采用 果表明，利用RF 反应溅射法也可制备高质量的MTJ 2 3 一系列的掩模，Al2O3 层的制备采用 RF 反应溅射并 材料。 原位热氧化方法，隧道结的面积为0.2mm ×0.2mm 。 样品的I-V 特性曲线说明了样品中隧道效应的存在， 利用 XPS 分析了样品界面特性及样品成分随膜厚的 2 实验过程 变化。 NiFe/Al O /Co 磁性隧道结三层膜是在四靶 关键词：磁性隧道结；RF 反应溅射；隧道磁电阻 2 3 RF/DC 磁控溅射台上制备的。其结构为Si(substrate)/ 中图分类号：O482.54 文献标识码：A NiFe(30nm)/Al O (2nm)/Co(15nm) 。为了方便测试， 文章编号：1001-9731 （2004 ）增刊 2 3 本文制备过程中，采用如图 1 所示掩模。 1 引 言 虽然早在 1975 年，Julliere[1]就在Fe/Ge/Fe 的磁 性隧道结中发现了隧道磁电阻（tunneling magneto resistance ，TMR ）效应，但是直到近年来，随着薄膜 制备技术的进一步提高，Moodera[2] 、Miyazaki[3]等才 制备出了在室温下具有高TMR 值的磁性隧道结，从 (a)NiFe 层掩模 (b)Al2O3 层掩模 (c)Co 层掩模 而又引起了世界各国研究者的广泛关注。且由于隧道 图1 制备隧道结用掩模 磁电阻多层膜材料可望在高灵敏传感器、磁随机存储 Fig 1 Masks for fabricating MTJ 器（MRAM ）、全金属晶体管等领域得到广泛应用[4] ， 首先使用图 1 （a ）所示掩模，将基片安装在旋转 各国研究者纷纷开展了纳米磁性隧道结的隧道磁电 样品架上，溅射前背景真空度为 10-5Pa ，然后利用 阻效应研究。 DC 磁控溅射制备30nm 厚的NiFe 薄膜。接着取出基 基本的 MTJ 结构为两层铁磁薄膜被一绝缘层分 片换图 1 （b ）所示掩模，用99.999% 的纯Al 靶，采 隔开而形成的三明治结构。绝缘层材料多为Al O ， 2 3 用 RF 反应溅射制备 2nm 厚