层状钙钛矿铁电材料的畴结构的研究.pdfVIP

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2017-08-16 发布于安徽
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层状钙钛矿铁电材料的畴结构的研究.pdf

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第7卷第6期哈尔滨=(I|i工火!芦学jK VoI7 No6 1)“一201’2 HARBINUNIV．SCITECtI． 200’12月 JOURNAL 02 文章编号1007—2683(2002}∽01127 层状钙钛矿铁电材料的畴结构研究苏东1，姚阳阳1，丁勇l，徐庆宇2，陈恺1，刘建设3，朱劲松1，王业宁1 “南京大学固体微结构物理罔家重点实验事，江苏南京210093；2小科院物理所北求电子显微镜实驻帑 J￡泉1130080；3．清华大学微电子研究所．北京100080) rBi_ffa 301 摘要：利用电子显微镜比较研艽了S 209(SBT)，Bi3TiTa09(BTT)，Bi4T12(BTO)， o 2 Bi^25La(J7Ji401 5一B2sLa75ri301 2(BLT)，SrBi4TidOl5一Bi4Ti30l2(SBTi—BT)和SrBi‘11i401 (SBTi—BLT)各自的畴结构和形态，并讨论了可能的相关机制．研究结果发现：90。畴的形态和密度各不相同，均受材料本征的内应力影响?90o畴界密度较高的材料对应的疲劳性也较好．关键词：铁电存储嚣；畴界；疲劳中图分类号：TM22l 文献标识码：A DomainStructuresof Bismuth Layered Compounds SU Yang—yan91，DINGYon91，XU Kail， Don91，YAO Qing—yu!，(：HEN L1UJian—she 3，ZHUJin—son(]1，WANG Ye—ning。 f1TheLabofSolidStateMicrost ofElectron ruptures．NanjingUniversity，Nanjing210093，China；2BeijingL．abolatory of andCenterforCondensedMatter of Physics Physics，Chmese 100080， Microscopy，Institute Academy Sciences，Beijing Instituteof 100084，China) China；3 Microelectronics，QinghuaUniversitY，Beijing Abstract：ThedomainstructuresofSBTand and BTT．B’FOBLT，SBTi—BTandSBTi—BL7Fwere stu