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V01.23 高等学校化学学报 增刊(supplement)
!!!!兰塑 竺竺些竺竺竺!竺竺————————竺
Si2C+肼.2、Si2C。m.2团簇的几何
结构和电子结构的研究‘
姜振益1,2,许小红2,武海顺2,张富强2,金志浩1
山西师范大学化学系,临汾041004)
(1.西安交通大学材料学院,西安710049;2
1G‘方法,对Si2C+。.2和Si2c‘,.2(掰=4—14)团簇的
擅要用密度泛函理论(DFT)的B3LYP/6.31
几何构型、电子结构等性质进行了研究.结果表明,Si2C+..2和Si2C。删(小=4—14)团簇的基态均
离子团簇比m为偶数的更为稳定.对于Si2C+,.2团簇,在卅≤11范围内,m等于偶数时团簇较稳
定:而在12≤m≤14范围内,m=lI的团簇较稳定.
关t词Si2C+,.2和Si2C‘.五团簇:密度泛函理论;结构与稳定性
~——‘’ ^
,
合物.它具有高的硬度、优越的耐腐蚀性能以及良好的导热性能,是一种重要的高温结构材料.
同时它还具有比硅优越得多的热稳定性和耐高温性,较高的击穿电压以及较宽的能隙,因而还
是一种重要的高温半导体材料.在保护涂层、场效应晶体管、光致发光、太阳能电池窗口材
料等领域有着广阔的应用前景‘“”.Si。C。团簇是磁控溅射制备Sil.。c。薄膜的先驱中间化合物
簇的结构和振动光谱.由于在飞行时间质谱中观察到的是正负离子团簇,所以对Si2C+。.2和
Si2C‘。.2的基态结构,找到了m=4—14范围内si2c+,一2和Si2C。。.2团簇的幻数规律.
1 计算方法
再将优化结果作为B3LYP/6.3IG’水平的初始参数重新进行全构型优化选出几种能量最低的
1G‘方法再进行一次更精确的优化计算.用最后一次优
结构,最后在更高层次上用B3LYP/6.31
化给出的结构进行具有确定对称构型的振动频率计算.全部计算均采用Gaussian98程序,在
SGI/02工作站上完成.
2结果与讨论
2.1几何构型和电子结构
图1给出了由B3LYP/6—3lG’理论优化而得到的si
zC一(zm4—14)中性和正负离子团簇的基
态构型示意图.表1和表2给出了这些离子基态构型几何参数.如图1所示,所有线状构型
基金项日:山西省青年科技基金项目(批准号,教育部骨干教师舞助计划项目和山西省留学回田人员资助项日
142 高等学校化学学报 V0l·23
从左至右原子编号顺序依次为1、2、3等;环状构型按顺时针方向原子编号顺序依次为l、
是线状结构,均为D。^点群.m=14的团簇是环状结构,为G点群,随着Ⅲ增大线状团簇的自
旋多重度出现1、3交替变化的规律,其中m为奇数团簇的自旋多重度为1,而m为偶数团簇
的自旋多重度为3.在线状结构中,Si原子在C链端部成键;环状结构中,C原子本身形成环
状,两个si原子处于椭圆环状构型的两端与两个C原子成键,如图1所示.与c辨团簇基态的
几何构型相比较,m从4到12过程中,Si2C,.2团簇没有随C原子个数增加出现线状与环状构
型的交替变化,尤其是总原子数m=14时才出现环状构型,这是与c。团簇基态的几何构
如图1所示.这也是中性与正负离子团簇结构不同之处.
Sketchofcha/nand
F嘻l IIgun ringgeometries
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Table
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