大剂量Mn离子注入GaAs的性质的研究.pdfVIP

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2017-08-16 发布于安徽
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大剂量Mn离子注入GaAs的性质的研究.pdf

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2004年8月，浅置第九馏全函离体雌*9术自U 大剂量Mn离子注入GaAs的性质研究刘志凯1宋书林1陈诺夫1’2柴春林1尹志岗1杨少延1 1．中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室北京100083 2中国科学院力学研究所国家微重力实验室北京100080 摘要：室温条件在半绝缘性GaAs衬底上进行了大剂量Mn离子的低能注入，并进行了不同条件的退新相衍射峰增多．根据衬底(004)峰摇摆曲线分析结果退火后更多的Mn离子进入晶格。运用原子力显微镜分析了样品的表面，发现退火后突起的起伏度增加。磁性分析表明，经过退火样品的磁化强度增大。关键词：低能注入；砷化镓：x射线衍射；梯度磁强计 PACC：2550B，7310，7450 中图分类号：TN304．7：TN304．054 on doseMn GaAs Study high implanted Liu Z枷血‘，SongShulinl，ChenNuoful一，Chaichuulin‘，Yin Zkigan91，YangShaoyan‘， (1 Chinese of AcademySciences，Beijing100083) National ofChinese of (2 MicrogravityLaboratoryAcademySciences， Instituteof 100080) Mechanics，Beijing doseMnionswdte into GaAssubstrateat ABSTRAC‘r：埘gh Implanted semi-imulaamg beam annealed Ion atd垃feremconditions．Thereweremorel地w energy deposittechnique．Allthe鞠mp|拦were phase curveresultssomoreMnionseutHed lattice．Fromthe oftwo crystal comparisonsamples’AFMimages,the ofthe increasedafter fromAGM roughnesssample蜘Ⅱ‰Increased出r叫加倒dln晷Magnetizationannealing results． Gradient diffraction；AlternatingMagnetometer Keywords：Low-energyimplantation；GaAs；X-ray P^CC：2550B；7310；7450 ]．引言磁性材料和半导体材料都是现代信息行业最为重要的两种材料，但两者却一直没有很好结合起来的主要原因在于后者大多是非磁性的。为了利用半导体中电子的自旋，研究者通过以下两种方式进行了探索：其一，通过在