Fe%2fAl-%2c2-O-%2c3-%2fFe隧道结的微结构HREM探究.pdfVIP

EleclrMicroscSoc 电子显微学报J．Chin 2“5)：647～6482002年 647 杨科，朱健民，赵晓宁，周舜华，陈志强，陈悦，黄石松，朱信华眵 (南京大学物理系固体微结构国家重点实验室，江苏南京210093-) 1975年Julliere…在Fe／Ge／Co中第一次发现 4．2K，14％的磁电阻效应(TMR)。此后人们对隧道 看到底层Fe由多取向的纳米晶组成，A1，O，层和上 结进行了广泛研究，比如Ni／NiO／Ni，Ni／NiO／Co和 层Fe为非晶无序。绝缘AI，O，层和Fe层的界面并 Ni／AI，O、／Co等。然而，上述材料在室温下的磁电阻 不平滑，如图2所示，A1：O，层最薄的区域大约5nm， 值都很小，直到1995年Moodera”J和Miyazaki”‘在Fe， 这应该是一个TMR减小的重要因素。另外，我们发 AI，O，／Fe，CoFe／AI：O，／Co中观察到室温下10％的 现在AI：O，绝缘层中存在少量Al纳米晶，这表明在 TMR。最近，由于隧道结的低饱和磁场和对外场反 现存的氧化条件下Al层不能被完全氧化，A1纳米 应的高灵敏性，因此它在作为读出磁头和磁传感器 晶粒的存在应该是影响TMR的另一重要不利因素。 方面的潜在应用而受到人们越来越多的关注。 进一步研究发现在下铁层中有许多Fe、吼纳米 理论上，磁电阻可定义为：TMR=△尺，R=(R．一 晶存在。晶粒的尺度大约在5—10nm。它们无序分 R。)IR．=2P，P：，(1+P．P：)，R．和R。分别是隧道 布于下铁层中。但我们没有发现如Moodera假设的 结中上下铁磁层在磁极化方向平行和反平行时的电 FeO的存在。Fe，04是亚铁磁性物质，理论上它的自 阻。P．和P2是两铁磁层的自旋极化率。但是实际 旋极化率大于块体Fe。实际上由于它们的晶粒分 上，正如Moodera”J在他的文章中指出的那样，由于 布及取向的无序，加上Fe，仉和Fe晶粒间的耦合可 存在许多限制因素，诸如界面的粗糙和势垒层的自 能会造成对TMR效应的不利影响。如Fe和Fe，O。 旋散射、铁磁层表面的老化、畴壁和铁磁层中形成类 之间的界面会形成类FeO的结构，这会引起传导电 似FeO的反铁磁氧化物，都会减小预期的TMR效 子自旋反转散射。 应。我们对Fe／AI，O，／Fe隧道结的微结构和下铁磁 在本文中，我们研究了Fe／AI，O，／Ire隧道结的 层中的氧化对TMR的影响进行了研究。 TMR效应与微结构及氧化的关系。观察到Fe和 Fe／AI：O，／Fe样品是在si衬底上用离子束溅射 AI：O，的界面存在互扩散，在AI：O，绝缘层中存在Al 的方法制备的。底层Fe在250℃下沉积，然后Al层 纳米晶粒，它们会影响TMR效应。另外，底Fe层的 马上在室温下沉积在Fe层上，并将AI层置于空气 氧化也会对TM