1.3μmGaInNAs%2fGaAs+VCSEL探究.pdfVIP

2004÷8月，湛 照第“Ⅻ_仝目目％^薯m∞^日U 1．3umGaInNAs／GaAs VCSEL研究 沈坤岳爱文王任凡 (武汉电信器件公司芯片部430074) umGalnNAs／GaAs 摘要：本文通过对1．3 VCSEL结构优化，采用直接接触结构研制出了特性得到改 善的1．3uinGalnNAs／GaAs Q， 6mA下的边模抑制比为4ldB。 关键词：GalnNAs，长波均垂直腔面发射激光器 ～弋 1．引言 随着人们对带宽需求的不断增加．光网络已逐渐应用于企业网和接入网。为了使光网络能更加 广泛地应用于中短程的光通信，要求光电子器件具有低成本、高速率和低功耗等特点。通常的边发 射半导体激光器由于具有测试成本高、与光纤耦合精度要求高，耦合效率低以及工作电流高等缺点， 不利于未来光网络在中短程距离的应用。垂直腔面发射激光器(VCSEL)因具有在片测试、与光纤 耦合效率高、凋瓤速率高和功耗低等优点而极有可能成为今后中短程光网络中最有竞争力的光源。 由于850nmvcsEL仅适合于短距离的多模光纤网络，1．3pmVCSEL将有希望成为中短程的单模光 u umGalnNAs —N半导体材料GalnNAs的带隙对应波长可以扩展到1．3m波长区域，因此，1．3 VCSEL的研究和开发成为近年来长波长VCSEL研究中的热点【lq】。 2．激光器结构和制作 随着N含量的增加，GalnNAs量子阱材料质量急剧下降，光荧光峰值半宽大幅度增加，因此， 较高N含量的GalnNAs量子阱虽然能获得较长的光荧光波长，但并不能提供高的材料增益。对于 Model”、2x2Band GalnNAs／GaAs量子阱，采用“Solid 哈密顿计算量子阱中电子有效质量、导带和价带裂距，在考虑了高注入载流子浓度下的量子阱带隙 收缩效应情况下，采用量予阱的单粒子增益模型分析了量子阱的增益。经过分析和优化，将 GalnNAs／GaAs量子阱的组分选择为Gao 发射波长漂移速度(0．08nm／K)l突，要使发射波长与增益峰值波长之间有较好的匹配，需要优化发射 波长与增益峰值波长之间的偏差，将激光器的发射波长设计为1280nm，一方面可以将VCSEL的最 小阈值电流温度设计在约36c，同时可以使激光器发射波长位于在1266—1310nm范围内而满足中 长距离光网络对光源波长的要求。 u 在1．3“m处，P型掺杂的GaAs存在强的价带间吸收和自由载流子吸收．吸收系数为d cm一，Nd为p型掺杂浓度。为了减小光吸收，对体材料区域进行低掺杂，掺杂浓度为 Idp=15／19”×Nd 6×10”cm一，吸收系数降低到lOcln-1以下。为了减小宽带隙材料与窄带隙材料界面处的空穴势垒， 在界面处插入组分渐变层，组分随位置抛物线渐变，同时提高渐变区域的掺杂浓度使界面处价带变 10”em一，对位于驻波波谷处的渐变区掺杂 得更扁平。对于位于驻波波峰处的渐变区掺杂浓度为3x 浓度为6×10”cm-3 um处的吸收系数较低，可以适当提高mDBR的掺杂浓度而不影响反 由于n型掺杂的GaAs在1．3 -66- 2004年8．^j涟 ’}十三：描童’固化古物斗。咎体材料、微波器件j。光电器件学术奢议 置，}九