AlGaN中应变状态地研究.pdfVIP

2∞4●8月，A ，鼻叶-王‘l士■啪—H■牛●呻‘材*、雠●脾和光’|—忡木_啦， 置第九囊●?■一律—攘学术●U AIGaN中应变状态的研究 张纪才1’，王建峰12，王玉田‘，杨辉‘ (1中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室，北京100083；2．武汉大学物理系，武汉430072) 摘要：本文用x射线衍射和卢瑟福背散射方法研究了生长在GaN上厚度为570nm的AI如ahN外延层中的应变状态。 实验结果显示A／GaN的共格因子(如h)在组分小于0．42时随组分的增加而近似线性减小。并且在n42时达到30％ 外延层的失配变小，使得组分约为0．16的AlxGal．捌外延层可以共格生长在GaN层上 关悯2$x射线衍射川GaN，共格因子，嬲醛挚背散射。 1．引言 A1GaN／GaN异质外延量子阱结构在紫外发光器件等方面具有较大应用前景。但实验发现直接生长 晶体质量有了较大的提高，但是很难获得没有裂缝的较厚的高Al组分外延层，这是因为与A1组分和 的应用及对其物理性质的理解至关重要。X射线衍射(XRD)可以同时测量组分和应变。一般来说，在 外延层处于完全弛豫或完全弹性状态下都可以用Vegard定理计算组分。如果AIGaN外延层存在部分 弛豫而又不能确定共格因子时，由此方法计算的组分可能偏差较大。利用卢瑟福背散射(RBS)／沟道方 法测量A1组分可以避免外延层中的应变影响【31。本实验用RBS测量了Al组分，并用三轴晶x射线 nln时的共 衍射(TXI国)方法精确测量了AI。Gal。小中的应变状态，最终确定Al如a1．IN在厚度为570 格因子和组分的关系。 2．实验 oC trimethylaluminum semi．∞．cn author．EImn：jczlmng@red ‘C㈣pondlng 一310- 2∞4牛8月，瞳 ，节叶唱Ll●■喇纠憎牛●嚆‘●I_．■嘣b_—件●嚏J¨●■_席—P愎 ll：：lf．．，t．Mlt-II■■q‘—‘■，爿‘●·性 生长一层GaN缓冲层，然后在1020 1)，其表面出现了裂纹。 MeV 描的步长为0．001。。RBS测量中使用的2．6He+离子束是用5SDH一2Pelletron产生的。 3．结果和讨论 nnl和600 AlxGaj。N和Gain的厚度分别是570 材料，所有的GaN层处于压应变状态。 豳镁瞄№酗 ≮j 吣。 【_j 5j一￡{一 毫葶诬闺舅 黎 心蚰． ／、心L { ∞I啊，叫 a b 图1示出样品A的(a)：RBS随机，i勾道谱和(b)：测量晶格参数的(RD矗，舵扫描。 表I：AIGaN和CaN层的晶格参数以及AIGaN层的(0002)和(1012)双晶il扫描半高宽。