多孔硅光伏特性地研究.pdfVIP

李旦振，陈顺玉，付贤智 (福州大学光值化研究所．福建福州350002) 摘要：采用电化学阳极氧化技术在P型单晶硅片 光调制频率为20Hz,光电压池为夹心型结：rro／被测 上形成一层多孔硅(PS)屡，应用表面光电压谱样品／ITO．多孔硅的荧光光谱和吸收光谱分别由 Edh_lbmgh In谢m∞镕公司的Fs900型荧 (SPS)、荧光先谱和吸收光谱等研究了不同的制备 Analytical 工艺条件对多孔硅表面光收特性的影响．研究蛄果 光谱仪，PE公司的Lamda-900型紫外-可见分光光 发现，多孔硅的光电压相对于单矗硅有很大程度的 度计测定． 提高，与电化学庸蚀的电流密度，腐蚀时间等工艺 条件有关，存在蠢佳的腐蚀电流密度、庸蚀时问． 3结果与讨论 美键词一多孔硅：阳极氧化一光伏效应 3_1腐蚀电流密度对多孔硅光电压的影响 I引言 P型单晶硅的带隙为I-17cV，在可见光范围内 的光伏效应很弱．图I为多孔硅在入射波长为550nm 时的光电压随腐蚀电流密度的变化趋势，不同腐蚀 1990年。Canhm,n11l首次报道了多孔硅室温下光 致发光的事实。使人们看到了硅材料在光电子领域 电流密度形成的多孔硅的光电压相对于单晶硅均有 诱人的应用前景．多孔硅是一种重要的纳米材料- 不同程度的提高．最高约3个数量瑷·当腐蚀电流 由于其独特的性能而倍受重视．谈研究跨物理学、 密度小于t0．9mA·c∞P时，光电压随电流密度的增 化学和材料科学等学科，在徽电子、光伏探澍器， 大而增强．当腐蚀电流密度增加到10．9mA-cm-2时· 敏感器件等晷方面有广泛的应用-本文采用表面光 光电压达到最大：而后随着电流密度的进一步提 电压谱(8PS)、荧光光谱和吸收光谱等研究了不同高，光电压又逐渐减小· 制备工艺条件对多孔硅光电性质的影响·研究结果 发现．多孔硅不仅具有光致发光的性质·而且其光 电压相对于单晶硅有很大程度的提高·其表面光伏 特性与电化学腐蚀的电流密度，持续时间等参数有 密切的关系。 2实验 制备多孔硅所用的村底材料为III晶向P型单 晶硅。电阻率为8,-,120-啪．电化学腐蚀装置与 D．C．Di叫”的相似．腐蚀液采用HF：c2也OH=I：I的 IZ柱／mA．cmP 溶液．腐蚀过程中用300W的反射灯照射·利用自 圈1乡孔硅的光电压瞳腐蚀电流密度的变化趄势 组装的表面光电压谱仪o‘嘲定多孔硅的光电压·表面 与单晶硅相比较，多孔硅在可见光区域内的光 光电压谱仪(sPs)由1000W的氤灯．WDG-J精密单色 伏效应增强．主要有两方面的原因：一方面，扫描 仪(长春市第一光学仪器厂XSRS830-DSP锁相放大 隧道显微镜(STM)观察结果IS,6]已证实用阳极氧化’ 器和SRS40斩波器‘美国撕坦福研究系统公司)盈 技术在单晶硅表面上形成多孔硅层·是由一些纳米 Apple微机等组成．所用的测试电极为rid导电石 尺寸的硅柱和硅粒组成．由于量子尺寸效应，使多 英片。在测试的光谱范围内t光透过率大干70％· ·基金项目：田毫自然科学基金啦∞73007)；梧氆省自拣 孔硅材料在近紫外·可见光区域吸收增强．由图2所 密切的关系一而多孔硅的结构又受腐蚀电流密度的 示的多孔硅的紫外