辉光放电光谱法分析掺杂纳米硅薄膜地研究.pdfVIP

第24卷增刊 冶金分析 V01．24，Suppl 2004年10月 MetallurgicalAnalysis October，2004 文章编号：1000—7571(2004)增一0253—06 辉光放电光谱法分析掺杂纳米硅薄膜的研究 张毅1，陈英颖1，吴则嘉2，刘晓晗2，杨晟远2，张林春2 (1．宝山钢铁股份有限公司技术中心，上海201900；2．上海维安新材料研究中心有限公司，上海200082) 搐要：介绍了利用辉光放电光谱法分析掺杂纳米硅薄膜：通过优化辉光光源激发参数、计算标准样品的溅射率，建立了掺 杂纳米硅薄膜的定量表面分析方法。方法应用于实际掺杂纳米硅薄膜样品的分析。并将分析深度剖析结果与表面形貌仪的 结果进行了对照。实验结果表明，本分析方法快速、准确，具有实际应用价值。 关键词：辉光放电；光谱法；掺杂；纳米硅薄膜 巾圈功喽晕： 立献标期嘲h如 与非晶硅(a—Si：H)、微晶硅(He—Si：H)和多 司) 晶硅(pc—Si)相比，纳米硅薄膜(nc—Si：H)具有 电导率高(10_3～10～S／cm)、电导激活能低(AE =0．1leV～0．15eV)，光热稳定性好，易于实现掺1．2分析方法的建立 杂、具有明显的量子点特征等【l-4J，利用纳米硅 标准样品和分析范围：建立分析方法时考虑 薄膜制备二极管元器件可得到与传统晶体二极管 了掺杂纳米硅薄膜中的主要元素为氢、硅、磷、硼， 相比更优越的性能。对纳米硅薄膜，特别是掺杂 同时也考虑了在制备掺杂纳米硅薄膜时易受到污 的纳米硅薄膜进行表面化学分析，表征掺杂元素 染的元素：氧、碳、铬、氮、硫等，建立的工作曲线 在纳米硅薄膜中的浓度分布，有利于其制备工艺 覆盖了这些元素。所选择的标准样品主要为成分 的优化、性能的整体评价和产品的应用研究。 均匀的块状光谱标样以及特制的块状样品(含有 辉光放电光谱技术(Glow DischargeSpec— 较高的氧、氮、磷)，各元素的分析范围以及特征谱 trometry，GDS)是基于惰性气体在低气压下放电 线如表1所示。 的原理而发展起来的光谱分析技术。与其他的表 表1掺杂纳米硅薄膜中主要元素的 面分析技术如俄歇能谱(AES)、二次离子质谱 分析范围和特征谱线波长 (SIMS)等相比，具有分析速度快、结果定量、分析 Table1 and of Analyticalrangewavelength in 成本低等优势。对于掺杂厚度在1,um左右的纳 mainelementstheaIm 米硅薄膜样品而言，辉光放电光谱技术是一种比 较理想的快速分析技术：样品分析时间2min；同 时检测32个以上元素；每个元素的数据采集频率 高达2000次／s；较好的空间分辨率和定量的分 析结果。本文通过优化辉光光源激发参数、计算 标准样品的溅射率，建立了掺杂纳米硅薄膜的定 量表面逐层分析方法。方法应用于实际掺杂纳米 硅薄膜样品的分析，并将分析结果与表面形貌仪 的结果进行了对照。结果表明，本分析方法快速、 准确，具有实际应用价值。 1实验部分 ㈣篇燃嚣麓嚣糍 1．1仪器