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2零霉5全国博士生学术论坛
激光剥离Sapphire／GaN中GaN材料温度场的研究
王婷，郭霞，刘斌，沈光地
(北京工业大学电子信息与控制工程学院，北京市光电子技术实验室，北京100022)
能量密度脉冲激光辐照时，GaN外延层内的温度场分布，由此得到激光剥离的阈值条件。同时采用紫外KrF准分子激光器
进一步分析表明脉冲激光的能量密度和频率是实现激光剥离的关键参数，适当选取这些参数能将GaN材料内的高温区控制
在lOOnm以内，实现高效低损伤激光剥离。
关键词：温度场剥离脉冲激光GaN
中图分类号：TN312+．8
OH GaN
Fieldof Material
StudyTemperature
LaserLift-off
DuringSapphire／GaN
WANG Xia，LIUBin，SHEN
Ting，GUO Guangdi
of
ElectronicInformationControl
(Institute Engineering．BeijingUniversityofTechnology,
1
BeijingOptoelectronicTechnologyLaboratory,BeOing00022，China)
Abstract：HeatflowmodelinGaNfilmirradiatedultravioletlaser laserlift一0fr wasestablished．The
by pulse during technique
fieldofGaNfilmirradiated laserwithdifferent wascalculated．Thethreshold
temperature density
bypulse energydensity energy
forlaserlift—offwasobtainedfromthe laser KrFexcimerlaser
calcuimion．The lift-off
necessary Sapphire／GaN experimentusing
Wasalsocamed the
out．The of and electron the showed
photosmicroscopescanning microscope(SEM)fromexperiment
calculationWasconsistentwith Wasalsofoundthatthe and of laserwerethe
experiment．It fluencyenergydensity key
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